天天爽天天看-日本少妇xxxx动漫-亚洲av成人精品毛片-欧美一区二区三区激情啪啪-91精品国产成-欧美牲交a欧美牲交aⅴ-欧美日韩国产免费观看-九九99精品久久久久久综合-欧美理论影院-国内老熟妇乱子伦视频-www在线观看av-黄色裸体网站-少妇高潮惨叫久久久久久-国产偷国产偷av亚洲清高-国产午夜精品理论片小yo奈-高大丰满熟妇丰满的大白屁股

      半導體寬譜光源在傳感、光譜學、生物醫(yī)學成像等方面具有廣泛的應用前景，但目前所采用的發(fā)光管（leds）和超輻射二極管（sld）因其發(fā)射功率低 而有所局限，所以研發(fā)大功率的寬譜激光器具有重要意義。
 

      最近，中國科學院半導體研究所材料科學重點實驗室潘教青研究員在指導研究生從事大功率激光器研究中，設計并實現了一種含隧道結構的大功率量子阱激光器寬譜光源。其初步研究結果以 ultrabroadstimulatedemissionfromquantumwelllaser為題發(fā)表在appliedphysicsletters,vol.104,p.251101,（2014）上。該研究報道被國際雜志 naturephotonics（2014年9月1日出版）作為十大“亮點論文”進行了報道，稱該項研究對超短脈沖光源和多波長調諧光源方面的研究具有重要意義。該研究和通常的發(fā)光二極管、激光二極管的不同點在于其采用mocvd方法生長ingaas/gaas量子阱有源區(qū)時，增加了gaas的反向隧道結構，提高了器件的增益和特征溫度。第一次實現了ingaas/gaas量子阱的寬譜激光器，中心波長1060nm，脈沖激射功率50mw，光譜寬度為38nm。此項研究對寬譜激光源的大功率輸出、降低成本、促進寬譜光源技術發(fā)展具有重要意義。