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        內存容量更大、尺寸更小

　　最近幾年，SD和microSD內存卡的容量穩步提升，這些卡的物理尺寸和形狀還可以保持不變。而且，每兆字節（MB）單位成本顯著下降。上述進步的主要原因在于：第一，顯微光刻法的發展帶來的電路密度提高；第二，使用物理上更薄的晶圓，從而能夠在同樣封裝尺寸中垂直疊放更多晶圓。

　　現在，內存晶圓厚度通常為80微米或更薄，50微米是尖端技術，而20微米晶圓還處于研發層面。從規模經濟考慮，這些晶圓的直徑能達到300毫米。硅是一種晶體材料，因此一塊300毫米×50微米的晶圓是非常易碎的，機械接觸很容易讓晶圓開裂和破損。而且，后處理費用通常大大高于10萬美元，因此必須在單切工藝中避免破損。

圖 3

　　傳統上，使用鉆石圓鋸旋轉進行的單切將會重復多次。然而如果晶圓厚度為80微米，圓鋸必須放慢到很不經濟的旋轉速度，降低切割壓力以避免剝落、開裂和破損（見圖3）。這給激光器創造了巨大的機會。現在許多芯片生產商已經轉而使用355納米調Q半導體泵浦固體激光器。與圓鋸類似，激光切割必須采用多程，以最大限度減少需要后處理才能消除的熱損傷。因此，唯一最重要的激光參數是極高的脈沖重復頻率。更為特別的是，掃描速度通常為600到750毫米/秒，這樣才能在做5程左右處理時讓總切割速度達到150毫米/秒。這種應用還要求非常高的邊緣質量，所以要有50%的脈沖波動空間疊加。因此，針對這種薄晶圓應用，Coherent公司開發了一款脈沖重復頻率極高的激光器（AVIA 355-23-250），脈沖重復頻率為250千赫，輸出功率大于8瓦，能夠為單程提供充足的切割能量。另外，對于在工藝過程開發中使用混合皮秒級激光器的興趣與日俱增，原因在于更短的脈沖持續時間產生的熱影響區（HAZ）更小，從而能夠避免后處理。