盡管多家機構(gòu)預警，產(chǎn)能緊缺問題將在明后年緩解，甚至出現(xiàn)產(chǎn)能過剩情況，半導體巨頭們看好長期需求，依然持續(xù)重金擴產(chǎn)。
當?shù)貢r間10月21日，存儲巨頭美光科技宣布，將于未來十年內(nèi)，在存儲器制造和研發(fā)上投入超過1500億美元，以滿足2030年對存儲的需求。
不懼“產(chǎn)能過剩”預警
內(nèi)存和閃存在全球半導體行業(yè)中的份額不斷增長，如今約占半導體市場的 30%。 5G和人工智能等長期增長動力將擴大數(shù)據(jù)中心、邊緣設備以及汽車和各種終端設備的存儲需求。
美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示，期待與全球各地政府合作，包括美國政府。美光此項投資計劃將包括擴大潛在的美國晶圓廠規(guī)模。該公司聲明中提到，由于美國存儲制造成本比擁有成熟半導體生態(tài)的市場高35-45%，因此將尋求政府補貼和稅收優(yōu)惠。
除了美國，有消息稱美光計劃在日本新建一座DRAM芯片廠，同樣有望拿到日本政府的大額補貼。
多家機構(gòu)近日對半導行業(yè)發(fā)出預警。摩根士丹利表示，半導體需求可能被高估了，預計最快第四季度，臺積電和力積電等代工廠將發(fā)生訂單削減。
IDC則預計，半導體行業(yè)將在2022年中達到平衡，隨著2022年底和2023年開始產(chǎn)能大規(guī)模擴張，2023年或?qū)⒊霈F(xiàn)產(chǎn)能過剩。
集邦咨詢認為，2022年三大DRAM原廠的擴廠規(guī)劃其實仍顯保守，預估明年的供給位元成長率約17.9%，然而由于目前買方庫存水位已偏高，加上2022年需求位元成長率僅16.3%，低于供給端的成長速度，2022年DRAM產(chǎn)業(yè)將由供不應求將轉(zhuǎn)至供過于求。
在截至2021年9月2日的2021年第四財季財報分析會上，Sanjay Mehrotra承認，存儲芯片的出貨量將在短期內(nèi)從非常強勁水平溫和下降。不過，他預計，客戶采購的調(diào)整將在未來幾個月內(nèi)基本得到解決。“2022年（自然年）存儲器需求將由不斷增長的數(shù)據(jù)中心、服務器部署、5G手機出貨以及汽車和工業(yè)市場的持續(xù)強勁拉動。”
巨頭頻擴產(chǎn)
除了美光，全球排名第二的存儲器廠商SK海力士今年三月底新建工廠的計劃得到韓國政府批準。該工廠總投資將達1060億美元，主要生產(chǎn)DRAM芯片，計劃于 2021 年第四季度開工，2025 年建成投產(chǎn)，每個月產(chǎn)量為80萬片。
SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）在今年6月一份報告中預測，全球半導體廠商將在今年年底前開始建設19座新的高產(chǎn)能晶圓廠，并在2022年再開工建設10座。
從地域分布看，中國處于領先地位。報告預測，中國大陸和臺灣地區(qū)將各新建8個晶圓廠；其次是美洲地區(qū)，將新建6個，歐洲和中東共有3個，日本和韓國各有2個。
10月14日，臺積電正式宣布，將赴日本設立晶圓制造廠，預計2022年開始建廠，2024年開始投產(chǎn)。該廠初步規(guī)劃以22/28nm特殊工藝為主。值得注意的是，該項資本開支不包含在此前宣布的1000億美金之內(nèi)。
臺積電此前宣布三年投1000億美元；臺聯(lián)電公布1000億新臺幣（約合35.8億美元）投資案，擴充在南科的12英寸廠；三星電子將在2030年前增加對System LSI和Foundry業(yè)務領域的投資，投資總額擴大至171萬億韓元（約1516億美元），以加快先進半導體工藝技術(shù)的研究和新生產(chǎn)設施的建設；英特爾宣布多項擴產(chǎn)計劃，一方面擬在美國亞利桑那州投資約200億美元新建兩座晶圓廠，另一方面希望成為晶圓代工的主要提供商。
而全球第四大晶圓代工廠也趁“缺芯”季開啟了IPO之路。當?shù)貢r間10月19日，格芯宣布將發(fā)行5500萬股普通股，IPO發(fā)行價格預計在每股42.00美元至47.00美元之間，預計此次IPO最多將融資26億美元。
根據(jù)格芯的規(guī)劃，未來兩年將投入60億美元，用于擴大其在新加坡、德國和美國工廠的產(chǎn)能。其中，新加坡投資超過40億美元，德國和美國各投資10億美元。
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