三星電子周一宣布，發(fā)現(xiàn)了一種全新半導(dǎo)體材料 “無定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，簡稱 a-BN”，并表示有望推動下一代半導(dǎo)體芯片的加速發(fā)展。
近年來，三星 SAIT一直在研究二維（2D）材料具有單原子層的晶體材料的研究和開發(fā)。具體而言，該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發(fā)，并在該領(lǐng)域取得了突破性的研究成果，例如開發(fā)新的石墨烯晶體管以及生產(chǎn)大面積單晶晶片的新方法。石墨烯。除了研究和開發(fā)石墨烯外，SAIT還致力于加速材料的商業(yè)化。
“為了增強石墨烯與基于硅的半導(dǎo)體工藝的兼容性，應(yīng)在低于 400°C 的溫度下在半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行晶圓級石墨烯生長。” SAIT的石墨烯項目負(fù)責(zé)人兼首席研究員 Shin Hyeon-Jin Shin 表示。“我們還在不斷努力，將石墨烯的應(yīng)用范圍擴展到半導(dǎo)體以外的領(lǐng)域。”
新發(fā)現(xiàn)的材料稱為無定形氮化硼（a-BN），由具有非晶分子結(jié)構(gòu)的硼和氮原子組成。盡管非晶態(tài)氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結(jié)構(gòu)排列的硼和氮原子，但實際上 a-BN 的分子結(jié)構(gòu)使其與白色石墨烯具有獨特的區(qū)別。
無定形氮化硼具有 1.78 的同類最佳的超低介電常數(shù)，具有強大的電氣和機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾，還證明了該材料可以在僅 400°C 的低溫下以晶圓級生長。因此，預(yù)計無定形氮化硼將廣泛應(yīng)用于諸如 DRAM 和 NAND 解決方案的半導(dǎo)體，尤其是在用于大型服務(wù)器的下一代存儲器解決方案中。
IT之家了解到，SAIT副總裁兼無機材料實驗室負(fù)責(zé)人Park Seongjun Park表示：“最近，人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是，將材料應(yīng)用于現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝仍然存在許多挑戰(zhàn)，我們將繼續(xù)開發(fā)新材料來引領(lǐng)半導(dǎo)體范式的轉(zhuǎn)變。”
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