摘要： 在世界各國大力支持和推進第三代半導體氮化鎵和碳化硅電子器件的發展的環境下，日前，江蘇華功第三代半導體產業技術研究院在蘇州吳江區汾湖高新區成立，旨在加快推進第三代半導體和應用技術的產業化。
藍鯨TMT 10月11日文：在世界各國大力支持和推進第三代半導體氮化鎵和碳化硅電子器件的發展的環境下，日前，江蘇華功第三代半導體產業技術研究院在蘇州吳江區汾湖高新區成立，旨在加快推進第三代半導體和應用技術的產業化。
據中科院院士、江蘇華功第三代半導體產業技術研究院院長甘子釗教授介紹，與硅（Si）功率電子器件相比，第三代寬禁帶半導體氮化鎵（GaN）具備更高耐壓、更低導通電阻，和更高的開關速度快等優勢，可以使電源系統工作頻率更高，損耗更低，尺寸更小，具備非常廣闊的產業發展和應用前景。
據北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任、江蘇華功第三代半導體產業技術研究院常務副院長張國義教授介紹，未來研究院將具備以下四大功能。
1、第三代半導體技術的開發基地，圍繞第三代半導體和電力電子技術的產業鏈上下游引進北大和中大的技術和團隊，在材料、工藝、封裝和應用方案上開展技術開發，推動產業的快速發展和成熟；
2、以研究院為平臺，引進團隊，開發第三代半導體終端應用技術，推動第三代半導體下游應用的發展，支持盡快把第三代半導體產業做大做強；
3、成為第三代半導體產業人才的培養基地，為華功半導體自身壯大和第三代半導體產業發展培養技術、管理人才；
4、作為華功和地方產業發展的孵化器和優質項目引進平臺。
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