星之球科技 來源：中國國防科技信息中心2013-08-16
我要評論(0 )
日本東京大學研制出了鍵合在硅基底上的1.3m量子點(QD)激光二極管(發(fā)表在《應用物理快報》2013年第六期，作者Katsuaki Tanabe等)。光子電路通常以硅為基底，但目前的光源...
日本東京大學研制出了鍵合在硅基底上的1.3m量子點(QD)激光二極管(發(fā)表在《應用物理快報》2013年第六期，作者Katsuaki Tanabe等)。光子電路通常以硅為基底，但目前的光源通常采用化合物半導體研制。特別是，研究人員正在尋求大溫度范圍下穩(wěn)定工作的器件，以實現(xiàn)更高的工作溫度。東京大學的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵(GaAs)壁壘結(jié)合自行聚合砷化銦(InAs)形成量子點，以構(gòu)建激光二極管的有源發(fā)光區(qū)域，再將這些器件鍵合到硅基底上。
有源區(qū)域由8層P-GaAs壁壘中自行聚合的InAs 量子點結(jié)構(gòu)組成。每層的點密度為6×1010/cm2。試驗中對直接和金屬介導兩種鍵合工藝進行了測試，兩種工藝研制的器件均可在超過100℃的條件下發(fā)射1.3m(光通信的O波段)的激光。這些結(jié)果證實了，采用晶圓鍵合工藝研制的硅上III-V族量子點激光器有望在高密度光子集成電路中實現(xiàn)溫度穩(wěn)定的運行。
轉(zhuǎn)載請注明出處。
① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品，版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng)，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應在授權(quán)范圍內(nèi)使
用，并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)責任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負責，版權(quán)歸原作者所有，如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益，請及時向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知，并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后，將會依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。
相關(guān)文章網(wǎng)友點評
熱門資訊
精彩導讀
關(guān)注我們
