星之球激光 來源：三星電子2012-03-27
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韓國三星電子公司3月22日宣布，將于中國設立的NAND型閃存新工廠將使用電路線寬為10納米級別的技術實施量產。10納米級技術是韓國工廠即將于今年上半年投入使用的最尖端技...
韓國三星電子公司3月22日宣布，將于中國設立的NAND型閃存新工廠將使用電路線寬為10納米級別的技術實施量產。10納米級技術是韓國工廠即將于今年上半年投入使用的最尖端技術，同時三星還正在強化將中國作為重要零件產地的體制。新工廠計劃在陜西省西安市建設。新工廠將在年內開工建設，在明年底投入量產。
三星于去年12月向韓國政府提出了在中國建設NAND型閃存工廠的申請，并于今年1月獲得批準。雖然此前透露的消息是“將使用20納米級別以下的技術”，但三星認為中國作為蘋果“iPhone”手機等數碼產品組裝基地的重要性日漸增強，有必要采用更尖端的技術進行高效生產。
縮小電路線寬后，利用一片硅晶圓制造出的半導體數量將隨之增加，從而提高生產效率。三星除了將于今年上半年開始使用10納米級技術在韓國進行量產之外，還計劃將該技術運用于中國工廠，其目的是通過此舉鞏固全球份額冠軍的寶座。
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