日本Phoeton公司SiC半導體用激光退火裝置。該裝置設想用于背面電極中采用的金屬層的歐姆（Ohmic）化。據Phoeton介紹，該公司預定在2011年2月提供首臺SiC半導體用激光退火裝置。另外，還預定在2012年開始供貨定位為 “量產機型”的裝置。
Phoeton公司擁有從2009年就開始供貨硅半導體用激光退火裝置的業績。這是一種IGBT等縱型構造元件的制造工藝中所需要的、用于使晶圓背面實現活性化的裝置。利用通過該裝置積累的經驗，Phoeton此次開發出了SiC半導體專用裝置。
Phoeton公司表示，硅半導體用途是對整個晶圓進行退火，而SiC半導體用途則要求“對晶圓的一部分進行局部退火”。而原來硅半導體專用裝置的激光照射方法無法滿足該要求，因而Phoeton對激光照射方法進行了全面改進。
硅半導體專用裝置在圓盤狀的大工作臺上沿圓周方向排列多個硅晶圓，在高速轉動該工作臺的同時照射激光。然后從工作臺的圓周側開始#p#分頁標題#e#,以直徑約為 100μm的激光光斑（Laser Spot）為中心進行掃描，從而對整個硅晶圓進行退火。而此次推出的SiC半導體專用裝置無需轉動SiC晶圓，而是采用Galvano光學掃瞄儀來掃描激光束。據Phoeton公司介紹，采用該方法可以對晶圓的一部分進行局部激光照射。
據介紹，在采用此次裝置實現歐姆化時，可以實現10-4～10-6Ωcm2的接觸電阻值。吞吐量方面，在150mm晶圓中采用NiSi形成歐姆電極時為5張/小時。支持的最大晶圓尺寸為150mm。還支持從晶圓上裁切下來的小片基板。支持的晶圓厚度在100μm以上。
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