此次制作的單結晶。JAXA提供
6月19日消息，日本宇宙航空研究開發(fā)機構（JAXA）成功制造出了30mm見方的InGaAs單結晶。這是通過利用宇宙實驗獲得的成果，開發(fā)出使溫度與濃度梯度一致的新結晶成長法，并通過減小溶液的厚度抑制對流實現結晶化。該產品是根據以獨立行政法人新能源及產業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）為中心制定的共同研究協(xié)議，由JAXA與NTT及Furuuchi Chemical共同開發(fā)出來的。
另外，JAXA等還采用此次開發(fā)的結晶技術制造出了半導體激光器，并利用光纖進行了通信實驗。采用波長為1.3μm的激光成功進行了20km的遠程通信。通過光纖傳導準確無誤地傳輸了每秒1010次的閃爍信號。
InGaAs半導體激光器與原來的InP半導體激光器相比，即使溫度升高，輸出功率也不會明顯降低。因此，無需冷卻，因而可減少耗電量。JAXA期待今后InGaAs半導體激光器可作為能夠大幅削減耗電量的半導體激光器，應用于基于光通信的都市網絡基站。
圖：新結晶成長法的原理（左）新開發(fā)的激光器的結構（中間）比較輸出溫度依存性的概念圖（右）
JAXA計劃從2010年秋到2011年在“希望”太空實驗室的微小重力環(huán)境下進行結晶成長實驗，以便在宇宙中制造出構造更加均勻的理想的單結晶。通過與在地面獲得的單結晶相比較，開發(fā)出性能更高的單結晶制造技術。
轉載請注明出處。
相關文章
熱門資訊
精彩導讀
關注我們
