中國科學院長春光學精密機械與物理研究所大功率激光研究組開發出了利用4個高功率垂直腔面發射半導體激光器(VCSEL)單管串接形成的百瓦級980nm波段高功率準列陣模塊。該模塊采用全自主化設計的芯片結構及模塊結構，模塊尺寸僅有2.2mmX2.2mm，輸出功率高達210W，這是單管VCSEL模塊迄今為止所報道的最高功率指標。該突破使得微小型高功率VCSEL模塊有望在激光引信、激光測距及激光面陣雷達系統中實現實用化。該成果已正式發表(JJAP 53,070303,2014)，并得到了國際光電類期刊Semiconductor TODAY 的關注。
針對高靈敏度激光引信、激光測距等軍事應用需求，VCSEL模塊驅動源采用高重復頻率、超窄脈沖電流源，激光器工作時重復頻率高達10kHz，脈寬僅有30ns。微型化高功率VCSEL模塊采用具有自主知識產權的串接結構，突破了單管及列陣VCSEL器件高功率工作所需的超高工作電流問題;通過合理布線，減小了整體模塊的電容電感，保證器件能夠快速響應。
VCSEL具有圓形對稱輸出光斑、不存在COD等獨特優勢，在高功率脈沖激光應用領域具有廣闊應用前景。長春光機所大功率半導體激光組在高功率VCSEL器件研制上具有十余年研究基礎，并在2012年成功實現了VCSEL單管92W的國際最高器件指標，目前又成功開發出百瓦級VCSEL單管模塊。該課題組正與多家單位合作開展下一步的實用化研究，以期推動國內激光引信、測距及激光面陣雷達等領域的發展。
長春光機所研制出百瓦級微小型垂直腔面發射半導體激光模塊
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