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VCSEL(垂直腔面發射激光器)及其陣列是一種新型半導體激光器，它是光子學器件在集成化方面的重大突破，它與側面發光的端面發射激光器在結構上有著很大的不同。端面發射激光器的出射光垂直于晶片的解理平面；與此相反，VCSEL的發光束垂直于晶片表面。它優于端面發射激光器的表現在：

●易于實現二維平面和光電集成；

●圓形光束易于實現與光纖的有效耦合；

●有源區尺寸極小，可實現高封裝密度和低閾值電流；

●芯片生長后無須解理、封裝即可進行在片實驗；

●在很寬的溫度和電流范圍內都以單縱模工作；

●價格低。

(1)結構

(2)襯底的選擇

硅上VCSEL

在硅（Si）上制作的VCSEL還不曾實現室溫連續波工作。這是由于將AlAs/GaAs DFB直接生長在#p#分頁標題#e#Si上，其界面不平整所致，使DFB的反射率較低。 日本Toyohashi大學的研究者由于在GaAs/Si異質界面處引入多層（GaAs）m（GaP）n應變短周期超晶格（SSPS）結構而降低了GaAs-on-Si異質結外延層的螺位錯密度。

藍寶石上VCSEL

美國南方加利福利亞大學的光子技術中心為使底部發射850nm VCSEL發射的光穿過 襯底，采用晶片鍵合工藝將VCSEL結構從吸收光的GaAs襯底移開，轉移到透明的藍寶石襯底上，提高了wall-plug#p#分頁標題#e#效率，最大值達到25%。
GaAs上VCSEL

基于GaAs基材料系統的VCSEL由于高的Q值而備受研究者青睞，目前VCSEL最多也是生長在GaAs襯底上。但以GaAsSb QW作為有源區的CW長波長VCSEL發射波長被限制在1.23 m。發射波長1.3 m的GaAsSb-GaAs系統只有側面發射激光器中報道過。日前美國貝爾實驗室的F.Quochi等人演示了室溫CW時激射波長為～#p#分頁標題#e#1.28 m的生長在GaAs襯底下的光泵浦GaAsSb-GaAs QW VCSEL。這個波長是目前報道的GaAsSb-GaAs材料系最長的輸出波長。

(3)新工藝

氧化物限制工藝

氧化物限制的重大意義在于：能較高水平地控制發射區面積和芯片尺寸，并能極大地提高效率和使光束穩定地耦合進單模和多模光纖。因此，采用氧化物限制方案器件有望將閾值電流降到幾百Ａ，而驅動電流達到幾個mA就足以產生1mW左右的輸出光功率。

采用氧化孔徑來限制電流與光場，使效率得到顯著提高，同時降低了VCSEL的閾值電流。所以，現在極有可能在單個芯片上制作大型和密集型封裝的氧化限制VCSEL陣列而不會存在嚴重的過熱問題。除低閾值電流和高效率外，均勻性是成功的VCSEL陣列的又一重要因素。在駐波節點處設置微氧化孔提高了VCSEL陣列的均勻性，并降低了小孔器件的散射損耗。美國University of Southern California大學日前演示的均勻晶片鍵合氧化限制底部發射850nm VCSEL陣列中，#p#分頁標題#e#5 5 VCSEL陣列的平均閾值電流低至346 A，而平均外量子效率接近57%，室溫連續波電流激射時單模輸出功率超過2 mW。他們還演示了大（10 20）VCSEL陣列，其閾值電流和外量子效率的變化分別低于4%與2%。

晶片鍵合工藝

長波長垂直腔面發射激光器（LW-VCSEL）因其低價格、超低閾值和小的光束發散，作為光纖通信系統中的激光源有很大的潛力。但是由于它的氧化層和有源層間存在著為滿足足夠的電流傳播和弱的光橫向限制的固有距離，使LW-VCSEL遭受橫電光限制，因此在高的結電流時會出現一個不穩定的橫模圖形。

日本NTT光子實驗室將具有充分的橫向限制的掩埋異質結（BH）引入1.55 m VCSEL#p#分頁標題#e#中，采用了薄膜晶片鍵合工藝使InP基掩埋異質結VCSEL制作在 GaAs-DBR 上。具體過程:（a）采用MOCVD生長InP 基激光器結構（第一次生長）；（b）采用反應離子刻蝕（RIE）形成臺面方形；（c）再一次生長摻Fe InP層和n-InP層（第二次生長）；（d）又一次生長p-InP相位匹配和p-InGaAs接觸層（第三次生長）；（e）將外延層安裝在Si板上并用蠟作機械支撐；（#p#分頁標題#e#f）采用HCl和H3PO4化學溶液腐蝕InP襯底和InGaAsP腐蝕中止層；（g）將InP基和GaAs基層的兩表面在相同結晶方向面對面放置，然后在室溫下蠟熔解而使Si片分開，將樣品送入退火爐以形成化學鍵合；（h）將臺面上部的p-InGaAs移開并將普通電極和SiO2-TiO2介質鏡從臺面上移去。底部涂覆一層抗反射涂層。

因為熔合界面遠離有源區，而且它不在器件電流通過的路徑上，所以晶片鍵合過程不會影響器件特性。

此LW-VCSEL結構有以下優點：首先，諧振腔波長可在晶片融合之前監控，因此發射波長可以提前控制。第二，激光器工作的可靠性會由于有源層和InP-GaAs熔合界面之間有足夠距離而變得很高。此外，它能低電壓工作的潛力在很大程度上是因為p-GaAs-AlAs DBR#p#分頁標題#e#和p-InP-p-GaAs界面間的高電阻得到了消除。