8月31日，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司發(fā)布了2023年半年度報(bào)告。報(bào)告顯示，受經(jīng)濟(jì)增速放緩，激光器市場需要仍舊疲軟，公司產(chǎn)品價(jià)格策略調(diào)整等影響，長光華芯上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入14,213.36萬元，同比下降43.23%；歸屬于上市公司股東凈利潤-1,063.74萬元，同比下降 117.97%。
長光華芯聚焦半導(dǎo)體激光細(xì)分行業(yè)，主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體激光芯片、器件及模塊等激光行業(yè)核心元器件的研發(fā)、制造與銷售。主要產(chǎn)品包括高功率單管系列產(chǎn)品、高功率巴條系列產(chǎn)品、高效率VCSEL系列產(chǎn)品及光通信芯片系列產(chǎn)品等，逐步實(shí)現(xiàn)高功率半導(dǎo)體激光芯片的國產(chǎn)化。
公司緊跟下游市場發(fā)展趨勢，不斷開發(fā)具有領(lǐng)先性的產(chǎn)品、創(chuàng)新優(yōu)化生產(chǎn)制造工藝、布局建設(shè)生產(chǎn)線，已形成由半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器構(gòu)成的四大類、多系列產(chǎn)品矩陣，為半導(dǎo)體激光行業(yè)的垂直產(chǎn)業(yè)鏈公司。
經(jīng)過多年的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化積累，針對半導(dǎo)體激光行業(yè)核心的芯片環(huán)節(jié)，長光華芯已建成覆蓋芯片設(shè)計(jì)、外延生長、晶圓處理工藝（光刻）、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺和2吋、3吋、6吋量產(chǎn)線，應(yīng)用于多款半導(dǎo)體激光芯片開發(fā)，突破一系列關(guān)鍵技術(shù)，是少數(shù)研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光芯片的公司之一。
長光華芯產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于：光纖激光器、固體激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半導(dǎo)體激光輸出加工應(yīng)用、激光智能制造裝備、國家戰(zhàn)略高技術(shù)、科學(xué)研究、醫(yī)學(xué)美容、激光雷達(dá)、機(jī)器視 覺定位、智能安防、消費(fèi)電子、3D傳感與攝像、人臉識別與生物傳感等領(lǐng)域。
長光華芯始終重視研發(fā)創(chuàng)新能力建設(shè)，持續(xù)加大對高功率芯片和模塊、光通信產(chǎn)品、VCSEL產(chǎn)品、激光無線能量傳輸芯片、直接半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品的投入，使產(chǎn)品保持創(chuàng)新性及領(lǐng)先性。
據(jù)了解，長光華芯上半年在以下各項(xiàng)產(chǎn)品的研發(fā)取得了進(jìn)展，形成了自主的產(chǎn)品矩陣：
高功率半導(dǎo)體激光芯片從國產(chǎn)替代，到行業(yè)領(lǐng)先
2023年2月，基于在photonics west報(bào)道的芯片技術(shù)，長光華芯開發(fā)了更高功率芯片寬條寬半導(dǎo)體激光芯片，在業(yè)內(nèi)首次推出最大功率超過66W的單管芯片（熱沉溫度為室溫），芯片條寬290μm，最大效率超過70%，工作效率超過63%，這是迄今已知報(bào)道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。
上半年，長光華芯還推出了9XXnm 50W高功率半導(dǎo)體激光芯片，在寬度為330μm 發(fā)光區(qū)內(nèi)產(chǎn)生50W的激光輸出，光電轉(zhuǎn)化效率高（大于等于 62%），現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)、出貨，是目前市場上量產(chǎn)功率最高的半導(dǎo)體激光芯片。
另外，公司9XXnm光纖激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固體激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地節(jié)約單瓦材料成本，為客戶創(chuàng)造價(jià)值。
VCSEL應(yīng)用不斷拓展，市場規(guī)模預(yù)期增長
根據(jù)IMARC Group數(shù)據(jù)，2022年，全球垂直腔表面發(fā)射激光器（VCSEL）市場的規(guī)模達(dá)17億美元，預(yù)計(jì)到2028年，該市場規(guī)模將達(dá)到45億美元，2023-2028 年間的復(fù)合年均增長率（CAGR）為17.4%。
公司的VCSEL芯片是長光華芯橫向拓展中重要的發(fā)展方向，現(xiàn)在主要有三方面應(yīng)用：
1、消費(fèi)電子，主要用于手機(jī)、AR/VR等終端應(yīng)用、3D傳感領(lǐng)域；公司將于下一階段在3D傳感領(lǐng)域形成規(guī)模銷售；
2、光通信，短距離傳輸，應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心；
3、車載激光雷達(dá)芯片，已通過車規(guī)IATF16949和AECQ認(rèn)證。公司已成為汽車廠商合規(guī)可靠的車載激光雷達(dá)芯片供應(yīng)商。
除車載雷達(dá)用VCSEL激光器芯片外，公司還積極布局開發(fā)車載EEL邊發(fā)射激光器及1550 nm光纖激光器的泵浦源產(chǎn)品，隨著項(xiàng)目的推進(jìn)，將進(jìn)一步鞏固長光華芯全套激光雷達(dá)光源方案提供商的市場地位。
隨著VCSEL自身技術(shù)的不斷發(fā)展，以及與其他技術(shù)的結(jié)合使用，未來VCSEL將迎來更多的新興應(yīng)用，比如用于眼動追蹤、速度監(jiān)測、PM2.5空氣質(zhì)量監(jiān)測等。
進(jìn)入高端光通信領(lǐng)域，光通信產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
長光華芯的單波100G EML (56GBd EML通過PAM4調(diào)制)和50G VCSEL（25G VCSEL 通過 PAM4 調(diào)制）實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。公司光通信產(chǎn)品為當(dāng)前400G/800G 超算數(shù)據(jù)中心互連光模塊的核心器件。AI驅(qū)動高速光模塊需求快速釋放，根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2025年高速光通信芯片市場規(guī)模有望達(dá)到43.40億美元。
塑料激光穿透焊接領(lǐng)域新進(jìn)展
依托完整的垂直產(chǎn)業(yè)鏈平臺，長光華芯使用完全自制的芯片，在國內(nèi)率先推出完全自主的1710nm直接半導(dǎo)體激光器，主要用于1 mm以下透明/白色塑料的激光穿透焊。1710nm波長的激光在透明/白色塑料的吸收率上，會高出比它更短波長的激光的幾倍至10倍，能完美的把透明塑料元件焊接在一起，使用更靈活、 焊接更美觀。
目前已在客戶端批量應(yīng)用，在產(chǎn)品的性能及性價(jià)比上得到了市場的較好回饋。
激光無線能量傳輸芯片引領(lǐng)科技前沿
激光無線能量傳輸技術(shù)具有高能量密度和遠(yuǎn)距離傳輸優(yōu)勢。可以為在軌衛(wèi)星、無人機(jī)、移動終端等裝備持續(xù)供電/補(bǔ)電，擁有廣闊的應(yīng)用前景。
上半年，長光華芯研究團(tuán)隊(duì)發(fā)布了全半導(dǎo)體激光無線能量傳輸芯片及系統(tǒng)的最新 成果，包括808 nm和1 μm的發(fā)射端激光芯片及模塊、接收端單/多結(jié)激光電池芯片及模塊、激光無線傳能系統(tǒng)。
2023年4月19日，公司CTO王俊博士做了相關(guān)學(xué)術(shù)報(bào)告 《Semiconductor laser and power converter for optical wireless power transmission》，該報(bào)告為國內(nèi)外首次報(bào)告全半導(dǎo)體全自主全鏈路的激光無線能量傳輸芯片。
橫向拓展氮化鎵方向，進(jìn)軍可見光領(lǐng)域
全資子公司蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所成立“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，為拓展氮化鎵材料體系的藍(lán)綠激光方向奠定了基礎(chǔ)，并與團(tuán)隊(duì)合資成立蘇州鎵銳芯光科技有限公司。
第三代半導(dǎo)體材料（寬禁帶半導(dǎo)體）氮化鎵（GaN）以及其合金氮化物是直接帶隙半導(dǎo)體，其可調(diào)節(jié)的能帶寬度使其發(fā)光波長覆蓋從深紫外、可見光直至紅外的寬廣的波譜范圍。
氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有直接發(fā)光、高效率、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢，藍(lán)光和綠光波段 的 GaN 激光器產(chǎn)品，已經(jīng)在激光加工（有色金屬加工、激光直寫）、激光顯示（激光大屏電視，XR 微投影）、激光照明（車載大燈）、特殊通信等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，總體市場需求超百億元且呈現(xiàn)較高的復(fù)合增長趨勢。
參考 Market and Market 、Yole 等機(jī)構(gòu)的增長幅度測算，預(yù)計(jì)到2026年全球氮化鎵元件市場規(guī)模將增長到423億美元，年均復(fù)合增長率約為 13.5%。
鎵銳芯光團(tuán)隊(duì)是國內(nèi)最早從事氮化鎵基激光器研究的團(tuán)隊(duì)，曾先后攻破關(guān)鍵核心技術(shù)，研制出國內(nèi)首顆氮化鎵基藍(lán)光和綠光激光器芯片，填補(bǔ)國內(nèi)在氮化鎵的藍(lán)綠光激光2023年半年度報(bào)告19 / 183器領(lǐng)域的空白，研發(fā)成果和技術(shù)水平國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流。目前該公司研制的綠光激光器光功率已達(dá)1.2W，處于國際先進(jìn)水平。大功率藍(lán)光激光器光功率已達(dá)7.5W，達(dá)到國際一流水平。相關(guān)產(chǎn)品已進(jìn)入可靠性驗(yàn)證階段，明年一季度可向市場推出產(chǎn)品。
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