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    據悉，高功率高亮度半導體激光芯片是激光產業鏈的基石與源頭，激光芯片的功率、亮度、可靠性作為核心指標，直接影響激光系統的性能、體積與成本，是實現激光系統小型化、輕量化、智能化的前提和保證。長光華芯致力于更高功率、更高亮度單管芯片的研發與生產，日前單管芯片功率突破性的達到66W。

　　2023年1月，在photonics west 2023會議上， 長光華芯首次報道了在亮度保持不變的條件下(芯片條寬230μm)，芯片出光功率提升20%(功率從32W提升到40W)，最大功率超過51W.該芯片的功率亮度性能是230μm條寬下高功率激光芯片已知報道的最高水平，長光華芯為實現高亮度條件下芯片功率的持續提升而不斷探索。

　　2023年2月，基于在photonics west報道的芯片技術長光華芯開發了更高功率芯片寬條寬半導體激光芯片，在業內首次推出最大功率超過66W的單管芯片(熱沉溫度為室溫)，芯片條寬290μm，最大效率超過70%，工作效率超過63%，這是迄今已知報道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

　　長光華芯專注于研發和生產半導體激光芯片，核心技術覆蓋半導體激光行業最核心領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題，建成了完全自研的芯片設計、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產線，是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業，有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發展。