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據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，清華大學(xué)微納電子所教授劉澤文、北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院鄧濤副教授聯(lián)合團(tuán)隊(duì)在國際著名學(xué)術(shù)期刊《納米快報(bào)》（Nano Letters）上發(fā)表了題為《基于三維石墨烯場效應(yīng)管的高性能光電傳感器》（”Three-Dimensional Graphene Field-Effect Transistors as High Performance Photodetectors”）的研究論文。 該論文利用自卷曲方法制造了一種微管式三維石墨烯場效應(yīng)管（3D GFET），可用作光電傳感器，實(shí)現(xiàn)對紫外光、可見光、中紅外光、太赫茲波的超高靈敏度、超快探測。
基于三維石墨烯場效應(yīng)管的高性能光電傳感器示意圖 光電傳感器是光通信、成像、傳感等許多領(lǐng)域的核心元件。石墨烯具有獨(dú)特的零帶隙結(jié)構(gòu)、超快的載流子遷移率等優(yōu)點(diǎn)，是制造高性能光電傳感器的理想材料。傳統(tǒng)的石墨烯光電傳感器多采用平面二維（2D）GFET結(jié)構(gòu)，具有超寬的帶寬和超快的響應(yīng)速度。但是，由于單層石墨烯對光的吸收率只有2.3%，導(dǎo)致2D GFET光電傳感器的響應(yīng)度很低（~6.3 mA/W）。雖然將石墨烯與光敏物質(zhì)相結(jié)合可以大幅度提高光電傳感器的響應(yīng)度，但是帶寬和響應(yīng)速度會嚴(yán)重受損。 該研究提出了一種利用氮化硅應(yīng)力層驅(qū)動2D GFET自卷曲為微管式3D GFET結(jié)構(gòu)的方法，首次制造出了卷曲層數(shù)（1-5）和半徑（30 μm-65 μm）精確可控的3D GFET器件陣列。這種3D GFET可用作光電傳感器，工作波長范圍從紫外光（325 nm）區(qū)域一直延伸至太赫茲（119 μm）區(qū)域，為已經(jīng)報(bào)道的基于石墨烯材料的光電傳感器帶寬之最。 同時(shí)，這種3D GFET兼具超高的響應(yīng)度和超快的響應(yīng)速度，在紫外光至可見光區(qū)域的響應(yīng)度可達(dá)1 A/W以上，在太赫茲區(qū)域的響應(yīng)度高達(dá)0.23 A/W，響應(yīng)時(shí)間快至265 ns（納秒）。該研究所提出的制造方法不僅為3D石墨烯光電器件與系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)鋪平了道路，還可以推廣至二硫化鉬、黑磷等其他類石墨烯2D晶體材料。審稿人高度評價(jià)該研究成果，認(rèn)為該研究對整個(gè)二維材料研究領(lǐng)域具有重要意義。 該論文的第一作者為清華大學(xué)微納電子學(xué)系2015屆畢業(yè)生、現(xiàn)北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院鄧濤副教授。清華大學(xué)微納電子所劉澤文教授、北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院鄧濤副教授為該論文的通訊作者。該研究得到了國家自然科學(xué)基金、北京市自然科學(xué)基金和中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)項(xiàng)目的支持。 |
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