Intel日前發(fā)布了旗下首款100G 10萬(wàn)兆網(wǎng)卡，當(dāng)然這遠(yuǎn)不是重點(diǎn)，現(xiàn)在Intel又借助硅光子技術(shù)沖到了400G，也就是40萬(wàn)兆，證明了采用硅光子技術(shù)實(shí)現(xiàn)超高速網(wǎng)絡(luò)的可行性，在傳統(tǒng)技術(shù)之外開(kāi)辟了新路。
這次Intel拿出的是一個(gè)400G硅光子收發(fā)器，通過(guò)半導(dǎo)體激光和IC集成電路融合在一起，四束激光各有100Gbps的速度，網(wǎng)絡(luò)協(xié)議則全面支持Ethernet、InfiniBand、OmniPath等。
Intel表示，之所以使用激光傳輸數(shù)據(jù)，是因?yàn)楣庾拥乃俣纫入娮痈?，而且光子彼此更加靠近，可以大大提升傳輸密度?br />
另外，光子傳輸數(shù)據(jù)的功耗更低，平均每Gbps只有銅方案的三分之一。
至于傳輸距離，400G硅光子收發(fā)器目前可以做到500米，未來(lái)會(huì)繼續(xù)延長(zhǎng)。
Intel也同時(shí)展示了多種100G收發(fā)器方案，淺綠色的可傳輸500米，深綠色的2公里，紫色的可達(dá)10公里，用于數(shù)據(jù)中心之間的通信。
Intel研究硅光子技術(shù)已經(jīng)將近20年，發(fā)明了多項(xiàng)關(guān)鍵的制造和測(cè)試技術(shù)，正逐步接近大規(guī)模量產(chǎn)。
這次展示的硅光子收發(fā)器采用的制造工藝是非傳統(tǒng)的24nm，同時(shí)基于300mm標(biāo)準(zhǔn)晶圓和標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)，而且是單芯片方案，只包含4個(gè)不同組件，可自動(dòng)完成組裝測(cè)試，相比傳統(tǒng)40多個(gè)不同組件的方案大大降低了復(fù)雜度和成本。
Intel計(jì)劃今年第四季度量產(chǎn)400G硅光子收發(fā)器，而在過(guò)去兩年，Intel已經(jīng)賣出了100多萬(wàn)個(gè)100G收發(fā)器。
這次Intel拿出的是一個(gè)400G硅光子收發(fā)器，通過(guò)半導(dǎo)體激光和IC集成電路融合在一起，四束激光各有100Gbps的速度，網(wǎng)絡(luò)協(xié)議則全面支持Ethernet、InfiniBand、OmniPath等。
Intel表示，之所以使用激光傳輸數(shù)據(jù)，是因?yàn)楣庾拥乃俣纫入娮痈?，而且光子彼此更加靠近，可以大大提升傳輸密度?br />
另外，光子傳輸數(shù)據(jù)的功耗更低，平均每Gbps只有銅方案的三分之一。
至于傳輸距離，400G硅光子收發(fā)器目前可以做到500米，未來(lái)會(huì)繼續(xù)延長(zhǎng)。
Intel也同時(shí)展示了多種100G收發(fā)器方案，淺綠色的可傳輸500米，深綠色的2公里，紫色的可達(dá)10公里，用于數(shù)據(jù)中心之間的通信。
Intel研究硅光子技術(shù)已經(jīng)將近20年，發(fā)明了多項(xiàng)關(guān)鍵的制造和測(cè)試技術(shù)，正逐步接近大規(guī)模量產(chǎn)。
這次展示的硅光子收發(fā)器采用的制造工藝是非傳統(tǒng)的24nm，同時(shí)基于300mm標(biāo)準(zhǔn)晶圓和標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)，而且是單芯片方案，只包含4個(gè)不同組件，可自動(dòng)完成組裝測(cè)試，相比傳統(tǒng)40多個(gè)不同組件的方案大大降低了復(fù)雜度和成本。
Intel計(jì)劃今年第四季度量產(chǎn)400G硅光子收發(fā)器，而在過(guò)去兩年，Intel已經(jīng)賣出了100多萬(wàn)個(gè)100G收發(fā)器。
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