日前，一個由德國于利希研究中心和瑞士保羅謝爾研究所科學家組成的國際研究小組成功創造出了第一個僅由IV族元素構建而成的半導體激光器。
據了解，鍺錫（GeSn）激光可直接應用于硅晶片上，從而構成一種用于光學數據傳輸的新基礎。"由于熱負荷和銅線的有限帶寬，經由銅線的信號傳輸限制了更大和更快的計算機的發展，"于利希研究中心的總監DetlevGrützmacher教授表示。"時鐘信號同步電路可消耗高達30％的能量-而光學傳輸可節省能耗。"
典型的用于電信系統的半導體激光器由III-V族元素制成，例如造價昂貴且不能直接用于硅的砷化鎵。然而，IV族半導體，包括硅和鍺則可以被集成到標準制造工藝中。
科學家們通過組合另一種IV族元素--鍺和錫，創建出半導體激光器。"高錫含量對于光學性能起到決定性作用。"博士研究生StephanWirths說。"我們首次能在保持其光學質量的前提下將10％以上的錫引入晶格"。
該研究團隊稱，鍺錫激光器的發射光的波長約為3微米，這或許能使它在諸如碳化合物的檢測中得到應用
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