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目前激光是除斑除色素的優(yōu)秀解決方案，得到了廣泛的應(yīng)用，在色素性病變治療方面的主流波長(zhǎng)有694nm、755nm、808nm、1064nm等，其中755nm波長(zhǎng)是一個(gè)非常重要的應(yīng)用波長(zhǎng)，主要原因?yàn)?55nm波長(zhǎng)對(duì)于黑色素吸收效果的專(zhuān)一性是所有激光除斑當(dāng)中最高的一個(gè)，專(zhuān)一性越高，去除黑色素的效果越明顯，清除率高，可縮短治療次數(shù)，皮膚安全性也越高。

755nm波長(zhǎng)：黑色素吸收率高

從黑色素的吸收峰來(lái)看，755nm的吸收系數(shù)為8－10，1064nm吸收系數(shù)在4－5之間。黑色素的吸收率隨波長(zhǎng)增加而降低，波長(zhǎng)越長(zhǎng)，黑色素吸收越少。所以，黑色素吸收越高，激光作用就越明顯，755nm可充分作用于目標(biāo)靶組織。黑色素的吸收率隨波長(zhǎng)增加而降低，波長(zhǎng)越長(zhǎng)，黑色素吸收越少，則治療時(shí)所需要的起效能量就越高。因此在黑色素吸收問(wèn)題上，755nm激光使用較低的能量就能達(dá)到顯著的治療效果，將副作用降到最低。

755nm波長(zhǎng)：黑色素相對(duì)血液的吸收能量比率高血紅蛋白競(jìng)爭(zhēng)性吸收少

將激光打到皮膚上，黑色素以及血液都會(huì)吸收能量，我們?cè)诳紤]波長(zhǎng)對(duì)黑色素吸收率強(qiáng)的同時(shí)，也不能忽視其對(duì)血液的吸收率，因?yàn)楫?dāng)血液和黑色素兩者都能吸收的同時(shí)，黑色素就沒(méi)有相對(duì)優(yōu)勢(shì)了。由于血液并不是我們目標(biāo)要處理的對(duì)象，所以我們不希望血液吸能量吸得太好，因?yàn)檠何芰课迷胶?，代表越多能量并非有效率在處理黑色素?/p>

非目標(biāo)物（血液）吸收能量，除了整體能量輸出要加強(qiáng)以務(wù)求黑色素獲得一定程度的刺激外，也會(huì)帶來(lái)不必要的副作用，例如紅腫、皮下出血、反黑等，延長(zhǎng)了恢復(fù)時(shí)間之余，還增加副作用的風(fēng)險(xiǎn)，如色素沉淀、反黑（hyperpigmentation）和反白 （hypopigmentation）。

所以，黑色素相對(duì)血液的吸收能量比率越好，意味著血紅蛋白競(jìng)爭(zhēng)性吸收少，激光作用效果就越好。755nm黑色素相對(duì)血液的吸收能量比率好50倍，而1064nm黑色素相對(duì)血液的吸收能量比率只高16倍，相比之下，755nm作用效果比1064nm好3倍左右。

所以755nm激光的優(yōu)勢(shì)在于，它具有較高的黑色素吸收比率，血紅蛋白競(jìng)爭(zhēng)性吸收少，這意味著它可以在較低的能量水平上就能達(dá)到效果，大大減少了上述副作用的機(jī)會(huì)，縮短了恢復(fù)時(shí)間，減少了所需的治療次數(shù)。

755nm波長(zhǎng)：足夠的穿透深度

色素性皮膚問(wèn)題的激光波長(zhǎng)選擇在滿足上述兩個(gè)條件時(shí)，還有一個(gè)條件同樣至關(guān)重要，那就是這些波長(zhǎng)對(duì)皮膚的穿透深度必須達(dá)到真皮層，才能有效改善淺表層至皮膚深層的色素性病變。

上圖中雖然沒(méi)有明確標(biāo)識(shí)出755nm波長(zhǎng)的激光皮膚穿透深度，但根據(jù)波長(zhǎng)區(qū)間對(duì)應(yīng)的穿透深度來(lái)看，以及結(jié)合下圖不同波長(zhǎng)對(duì)皮膚的穿透深度不難看出，755nm波長(zhǎng)能有效穿透至皮膚真皮層，對(duì)表皮到真皮各種色素病變都能達(dá)到不錯(cuò)的治療效果。

755nm波長(zhǎng)能有效穿透至皮膚真皮層

正是看到了激光在醫(yī)療美容市場(chǎng)的廣闊前景，作為國(guó)內(nèi)極少數(shù)研發(fā)和生產(chǎn)大功率激光芯片的專(zhuān)業(yè)供應(yīng)商－深圳瑞波光電子有限公司從2014年就開(kāi)始研發(fā)醫(yī)療用激光芯片，現(xiàn)開(kāi)發(fā)出755nm激光芯片，型號(hào)為RB－755A－350－8－2．5－SE，發(fā)光條寬350um，腔長(zhǎng)2．5mm，工作功率8W，光電轉(zhuǎn)換效率42％，工作電壓1．9V。（根據(jù)單管芯片測(cè)試數(shù)據(jù)得到。單管芯片測(cè)試時(shí)，以 COS（Chip On Submount）封裝形式，COS 測(cè)試溫度為 25℃，熱阻為 2～3 K／W。）

755nm 芯片PIV曲線

755nm 芯片壽命測(cè)試曲線（連續(xù)電流）

瑞波光電755nm 芯片老化數(shù)據(jù)（脈沖電流，脈沖寬度50ms，重復(fù)頻率10Hz）。完成850小時(shí)，即3000萬(wàn)個(gè)脈沖，滿足祛斑和脫毛應(yīng)用的壽命要求2000萬(wàn)次

除了755nm波長(zhǎng)外，瑞波光電針對(duì)醫(yī)療美容市場(chǎng)還開(kāi)發(fā)了780nm、808nm、880nm、1064nm、1470nm、1550nm等多款單管芯片產(chǎn)品，均得到了市場(chǎng)的積極反饋和認(rèn)可，目前都在批量出貨中，歡迎感興趣的行業(yè)同仁前來(lái)咨詢。