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Al2O3單晶（Sapphire,又稱白寶石，藍寶石）有著很好的熱特性，極好的電氣特性和介電特性，并且防化學腐蝕，它耐高溫，導熱好，硬度高，透紅外，化學穩定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料。

技術參數：

晶體結構	六方 a =4.758 Å c= 12.992 Å
結晶方向	(11-20 ) - a plane: 2.379 Å (1-102) - r plane: 1.740 Å (10-10) - m plane: 1.375 Å (0001) - c plane: 2.165 Å
單晶純度	> 99.99%
熔點	2040 ^oC
密度	3.98 g/cm³
硬度	9 ( mohs)
熱膨脹	7.5 (x10^-6/ ^oC)
熱容	0.10( cal /^oC)
熱導	46.06 @ 0 ^oC 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) )
介電常數	~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis
正切損耗	< 2x10^-5at A axis , <5 x10^-5at C axis

#p#分頁標題#e#

晶體結構
六方 a =4.758 Å c= 12.992 Å

結晶方向
(11-20 ) - a plane: 2.379 Å (1-102) - r plane: 1.740 Å

(10-10) - m plane: 1.375 Å (0001) - c plane: 2.165 Å
單晶純度
> 99.99%

熔點
2040 oC

密度
3.98 g/cm3

硬度
9 ( mohs)

熱膨脹
7.5 (x10-6/ oC)

熱容
0.10( cal / oC)

熱導
46.06 @ 0 oC 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )

介電常數
~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis

正切損耗
< 2x10-5 at A axis , <5 x10-5 at C axis

晶體結構	六方 a =4.758 Å c= 12.992 Å
結晶方向	(11-20 ) - a plane: 2.379 Å (1-102) - r plane: 1.740 Å (10-10) - m plane: 1.375 Å (0001) - c plane: 2.165 Å
單晶純度	> 99.99%
熔點	2040 ^oC
密度	3.98 g/cm³
硬度	9 ( mohs)
熱膨脹	7.5 (x10^-6/ ^oC)
熱容	0.10( cal /^oC)
熱導	46.06 @ 0 ^oC 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) )
介電常數	~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis
正切損耗	< 2x10^-5at A axis , <5 x10^-5at C axis

技術參數：

晶體結構	六方 a =4.758 Å c= 12.992 Å
結晶方向	(11-20 ) - a plane: 2.379 Å (1-102) - r plane: 1.740 Å (10-10) - m plane: 1.375 Å (0001) - c plane: 2.165 Å
單晶純度	> 99.99%
熔點	2040 ^oC
密度	3.98 g/cm³#p#分頁標題#e#
硬度	9 ( mohs)
熱膨脹	7.5 (x10^-6/ ^oC)
熱容	0.10( cal /^oC)
熱導	46.06 @ 0 ^oC 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) )
介電常數	~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis
正切損耗	< 2x10^-5at A axis , <5 x10^-5at C axis

技術參數：

晶體結構	六方 a =4.758 Å c= 12.992 Å
結晶方向	(11-20 ) - a plane: 2.379 Å (1-102) - r plane: 1.740 Å (10-10) - m plane: 1.375 Å (0001) - c plane: 2.165 Å
單晶純度	> 99.99%
熔點	2040 ^oC
密度	3.98 g/cm³
硬度	9 ( mohs)
熱膨脹	7.5 (x10^-6/ ^oC)
熱容	0.10( cal /^oC)
熱導	46.06 @ 0 ^oC 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) )
介電常數	~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis
正切損耗	< 2x10^-5at A axis , <5 x10^-5at C axis

#p#分頁標題#e#

技術參數：

晶體結構	六方 a =4.758 Å c= 12.992 Å
結晶方向	(11-20 ) - a plane: 2.379 Å (1-102) - r plane: 1.740 Å (10-10) - m plane: 1.375 Å (0001) - c plane: 2.165 Å
單晶純度	> 99.99%
熔點	2040 ^oC
密度	3.98 g/cm³
硬度	9 ( mohs)
熱膨脹	7.5 (x10^-6/ ^oC)
熱容	0.10( cal /^oC)
熱導	46.06 @ 0 ^oC 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) )
介電常數	~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis
正切損耗	< 2x10^-5at A axis , <5 x10^-5at C axis

技術參數：

晶體結構	六方 a =4.758 Å c= 12.992 Å
結晶方向	(11-20 ) - a plane: 2.379 Å (1-102) - r plane: 1.740 Å (10-10) - m plane: 1.375 Å (0001) - c plane: 2.165 Å
單晶純度	> 99.99%
熔點	2040 ^oC
密度	3.98 g/cm³#p#分頁標題#e#
硬度	9 ( mohs)
熱膨脹	7.5 (x10^-6/ ^oC)
熱容	0.10( cal /^oC)
熱導	46.06 @ 0 ^oC 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) )
介電常數	~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis
正切損耗	< 2x10^-5at A axis , <5 x10^-5at C axis

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