近期，上海光機所出槽一塊尺寸為470mm×495mm×560mm（長×寬×柱面高）長籽晶快速生長的大口徑DKDP晶體，這是國際上首次獲得的大口徑長籽晶DKDP晶體，標志著長籽晶快速生長DKDP晶體技術得到成功驗證。相關晶體制備技術已經申請了專利（公開號：CN 109943881A，CN110055579A）。
研究團隊采用長籽晶點晶技術（籽晶長度320mm），在自主研發的1300型連續過濾晶體生長槽中經過三個多月生長成功出槽。初步測試結果表明，晶體毛坯內部透明度好，可以滿足無錐柱交界面的大口徑二類混頻元件切割要求。
長籽晶快速生長技術是上海光機所在第一代DKDP晶體快速生長技術（雙錐生長技術）基礎上的又一突破。它耦合了傳統生長技術與快速生長技術的優點，具有傳統生長技術無錐柱交界面、快速生長技術生長周期短的優點，又兼具切片效率高的特點，為國際高功率激光裝置建設所需DKDP晶體生長提供了新方案。（激光與紅外材料實驗室供稿）
連續過濾長籽晶快速生長技術制備的DKDP晶體
（晶體尺寸470mm×495mm×560mm，籽晶長度320mm）
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