芯維(山東)科技有限公司成功自主研發高功率深紫外(DUV)激光器，輸出功率達到1.2W，該項研究填補了技術空白，改變了此前該領域由海外供應商主導的格局，為國內半導體產業鏈安全及高端裝備國產化提供了新的支撐點。
深紫外激光器是高端半導體芯片前道檢測設備(如掩模檢測、晶圓缺陷檢測等)不可或缺的核心光源，技術門檻高，國內市場長期被歐美日企業壟斷，成為制約我國芯片產業自主發展的“卡脖子”難題。芯維科技自主研發的高抗灰跡BBO(偏硼酸鋇)晶，在深紫外激光器應用中將使用壽命顯著延長至3000小時以上，關鍵性能指標達到行業領先水準，相關成果已申請項國家發明專利，其技術先進性與創新性得到業內多家企業的認可與高度評價，采用獨創工藝，突破了核心器件技術瓶頸。
芯維(山東)科技有限公司深紫外激光器項目團隊成員來光電、材料、機械等多個專業，在校企協同創新模式下，團隊成員共同攻克了關鍵難題，展現出我國在高端科技領域人才培養與產學研融合的創新活力。團隊歷時兩年潛心攻關，突破技術瓶頸，為我國深紫外激光產業發展開辟了新篇章。
芯維科技正積極規劃產能擴張，將進一步降低對海外供應鏈的依賴，為國產半導體裝備體系增加一條相對安全、可控的核心器件通道，對打破國際壟斷、提升產業鏈供應鏈韌性與安全水平、支撐國家信息產業高質量發展具有深遠的戰略意義。
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