據“勢能資本”官微消息，芯辰半導體（蘇州）有限公司（下文簡稱“芯辰半導體”）外延設備已于近日投產，覆蓋砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）光芯片四元化合物全材料體系。
據介紹，芯辰半導體目前已實現波長范圍760nm~1700nm外延片的量產，外延均勻性為激射中心波長外2nm之內。其中典型波長的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主產線實現VCSEL或DFB芯片驗證。
source：芯辰半導體
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總投資8億，這一激光芯片項目投產！
激光制造網 來源：功率半導體技術實驗室2024-12-18
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據“勢能資本”官微消息，芯辰半導體（蘇州）有限公司（下文簡稱“芯辰半導體”）外延設備已于近日投產，覆蓋砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）光芯片四元化合物全材料體系...
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