陜西日?qǐng)?bào)
公司科研團(tuán)隊(duì)正在對(duì)高功率半導(dǎo)體激光芯片進(jìn)行圖形檢測(cè)。
半導(dǎo)體激光芯片COS封裝打線(xiàn)工藝。
光子產(chǎn)業(yè)是戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性新興產(chǎn)業(yè)，在加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力、構(gòu)建現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系中具有關(guān)鍵作用，也是陜西省制造業(yè)24條重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈之一。早在2021年，陜西就依托完備的光學(xué)科研基礎(chǔ)鏈條以及在光子利用技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)施“追光計(jì)劃”，推進(jìn)光子產(chǎn)業(yè)集群化發(fā)展，其中，光（電）芯片是光子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵價(jià)值環(huán)節(jié)。
今年年初，陜投集團(tuán)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資平臺(tái)——陜西投資新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司旗下西安立芯光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“立芯光電”）成功打破國(guó)外技術(shù)“壁壘”，解決高功率激光領(lǐng)域“卡脖子”難題，推出850nm、976nm、1064nm系列的300mW、600mW、1W高功率單模半導(dǎo)體激光器芯片，并在此過(guò)程中成功自主開(kāi)發(fā)出新一代自對(duì)準(zhǔn)工藝，精度達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
作為國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的高科技企業(yè)，立芯光電自2012年成立以來(lái)，一直致力于高端半導(dǎo)體激光器芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，擁有從半導(dǎo)體激光芯片的設(shè)計(jì)、材料、制造工藝到封裝、測(cè)試等全套核心技術(shù)，已經(jīng)發(fā)展成為西北地區(qū)規(guī)模最大的高功率半導(dǎo)體激光器芯片高新技術(shù)生產(chǎn)型企業(yè)。
企業(yè)硬實(shí)力的增強(qiáng)，離不開(kāi)關(guān)鍵核心技術(shù)的突破。激光器芯片腔面鍍膜工藝是整個(gè)激光器芯片產(chǎn)品生產(chǎn)工藝中的核心難題，直接關(guān)系著芯片的功率、效率、可靠性等重要參數(shù)，也是一直以來(lái)限制國(guó)產(chǎn)芯片提升的技術(shù)瓶頸。立芯光電積極引進(jìn)半導(dǎo)體物理、光電子器件、化學(xué)工程、材料學(xué)、封裝技術(shù)、質(zhì)量控制等多學(xué)科優(yōu)秀人才，打造高素質(zhì)科研團(tuán)隊(duì)，通過(guò)大膽嘗試、數(shù)字模擬、數(shù)據(jù)積累、反復(fù)驗(yàn)證等手段，僅用半年時(shí)間便將芯片腔面鍍膜工藝提升了兩代，將出光腔面可承受的光功率密度從2.5MW/平方米提高到了16MW/平方米，達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平。其中關(guān)鍵核心技術(shù)“高功率半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)研究”獲得了2018年陜西省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，“高功率Ⅲ-Ⅴ族激光器芯片關(guān)鍵技術(shù)突破項(xiàng)目”更是從2658個(gè)參賽項(xiàng)目中脫穎而出，獲得國(guó)務(wù)院國(guó)資委舉辦的2018中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽創(chuàng)新類(lèi)一等獎(jiǎng)。2020年，企業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)被省國(guó)資委授予“科技創(chuàng)新優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)”稱(chēng)號(hào)，同年，企業(yè)入選全國(guó)首批“科改示范企業(yè)”；2021年，公司投入科研力量組建的“西安市先進(jìn)半導(dǎo)體激光器件工程技術(shù)研究中心”被正式認(rèn)定為西安市級(jí)工程技術(shù)研究中心；2022年獲評(píng)陜西省博士后創(chuàng)新基地。
2023年下半年，為進(jìn)一步解決“卡脖子”難題，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)空白，立芯光電主動(dòng)調(diào)整自身發(fā)展方向，將產(chǎn)品目標(biāo)定位在百毫瓦以上的高功率單模激光器芯片。基于自主核心技術(shù)，立芯光電研發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心設(shè)備，通過(guò)進(jìn)行大量基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，深挖并解決影響器件可靠性的各種因素，不斷優(yōu)化外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和腔面鍍膜鈍化工藝，最終成功開(kāi)發(fā)了高功率、高效率和高可靠性單基橫模半導(dǎo)體激光芯片系列產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了外延材料、芯片完全自主可控的國(guó)產(chǎn)化替代。該產(chǎn)品將主要應(yīng)用于掃描類(lèi)領(lǐng)域，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求量約20萬(wàn)支/年。
當(dāng)前，陜投集團(tuán)正依托自身優(yōu)勢(shì)，以科技創(chuàng)新推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，打造科技IP產(chǎn)業(yè)集群、拓展新興產(chǎn)業(yè)布局，進(jìn)一步加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，培育發(fā)展新動(dòng)能。一分部署，九分落實(shí)。立芯光電按照陜投集團(tuán)打造原創(chuàng)技術(shù)策源地及科技IP產(chǎn)業(yè)集群的要求，找準(zhǔn)發(fā)展定位，堅(jiān)持“鏈”上發(fā)力，持續(xù)放大優(yōu)勢(shì)、向“新”突破，立足整個(gè)激光行業(yè)的上游，完成自產(chǎn)外延導(dǎo)入，在生產(chǎn)端和研發(fā)端均實(shí)現(xiàn)外延自主可控；布局打造激光半導(dǎo)體外延—芯片—模組—器件—終端的全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展態(tài)勢(shì)，針對(duì)工業(yè)加工、激光雷達(dá)、醫(yī)療科技等多方位下游應(yīng)用市場(chǎng)領(lǐng)域，在實(shí)現(xiàn)已有產(chǎn)品量產(chǎn)升級(jí)的同時(shí)成功開(kāi)發(fā)多系列行業(yè)領(lǐng)跑新產(chǎn)品，全力打造在全國(guó)有影響力的激光產(chǎn)業(yè)高地，持續(xù)鍛造產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)新優(yōu)勢(shì)。
下一步，立芯光電將繼續(xù)深耕高功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，著力推進(jìn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破、推動(dòng)創(chuàng)新鏈產(chǎn)業(yè)鏈融合發(fā)展，以高水平科技創(chuàng)新推動(dòng)高效能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，加快培育和發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。在加強(qiáng)創(chuàng)新要素優(yōu)化配置方面，陸續(xù)推出905nm多層量子阱高功率芯片產(chǎn)品、內(nèi)置光柵大功率半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)品等，將材料體系擴(kuò)展至擁有砷化鎵、氮化鎵、磷化銦等多材料體系技術(shù)平臺(tái)。在推進(jìn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破方面，圍繞產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求開(kāi)展有組織科研，繼續(xù)攻克材料生長(zhǎng)復(fù)雜性、精確能級(jí)控制、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及光譜和波長(zhǎng)控制、熱管理、光學(xué)腔設(shè)計(jì)等技術(shù)難題，研發(fā)量子級(jí)聯(lián)激光器、光泵半導(dǎo)體激光器等產(chǎn)品，為陜西打造全國(guó)領(lǐng)先的光子產(chǎn)業(yè)聚集地貢獻(xiàn)立芯力量。
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