10月15日，
萊普科技全國總部
暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目
在成都高新區(qū)
成功舉行奠基儀式。
項目名片
項目總投資：
16.6億元
項目面積：
占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米
項目規(guī)劃：
將于2023年10月開工建設，預計2025年5月前通過并聯(lián)并行竣工驗收，2026年5月全面達產(chǎn)。
主要建設內容：
萊普科技全國總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目（即成都萊普科技股份有限公司總部暨生產(chǎn)基地建設項目）包括企業(yè)全國總部、技術中心、制造中心、服務中心以及核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地，并將同步建設中科院半導體所成都半導體材料先進激光加工技術聯(lián)合實驗室及培訓基地、四川省全固態(tài)先進激光工程技術研究中心等項目。
企
業(yè)
說
項目的落地將有力推動我國半導體領域激光裝備和技術的進步。在集成電路制造前道工藝創(chuàng)新、先進激光技術應用與系統(tǒng)集成、核心零部件自主可控、專業(yè)人才培養(yǎng)等方面產(chǎn)生積極作用。
——萊普科技相關負責人表示
作為成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地，成都高新區(qū)大力推進新型工業(yè)化，持續(xù)推動半導體設備材料國產(chǎn)化進程。
成都高新西區(qū)鳥瞰圖
今年3月，成都高新區(qū)發(fā)布了《成都高新區(qū)集成電路建圈強鏈三年攻堅計劃（2023-2025）》（征求意見稿），按照“補制造、強設計、擴封測、延鏈條”的總體思路，以模擬芯片為核心，以算力芯片、存儲芯片及功率器件為重點，構建規(guī)模大、技術強、要素全的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈，加快“中國存儲谷”建設。力爭到2025年，實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1700億元。
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