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8月26日，安徽格恩半導體有限公司在金安區舉行了氮化鎵激光芯片產品發布會。會上發布了包括藍光、綠光及紫光等系列十多款氮化鎵激光芯片產品，關鍵性能指標已達到國外同類產品的先進水平，充分展示了格恩半導體在氮化鎵激光芯片領域的超強技術實力和國內領先水平，并將有力促進國內氮化鎵激光全產業鏈的蓬勃發展。

據了解，氮化鎵半導體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優點，波長范圍覆蓋可見光和紫外波段，應用場景包括激光顯示、工業加工、激光照明、激光通訊、激光醫療等眾多領域，近年來總體市場需求呈現較高的復合增長趨勢，由于氮化鎵激光技術壁壘較高，長期被國外少數企業壟斷，我國企業需求全部依賴進口。

近年來，格恩半導體集中優勢資源力量，憑借在化合物半導體、尤其是氮化鎵材料領域豐富的研發和生產經驗，攻克了一系列技術難點，成為國內首家可以規模量產氮化鎵激光芯片的企業。目前，格恩半導體已具備覆蓋氮化鎵激光器結構設計、外延生長、芯片制造、封裝測試全系列工程技術能力及量產制造能力，擁有國際領先的半導體研發與量產設備500余臺，以及行業先進的產品研發平臺和自動化生產線。

據悉，本次發布會的舉辦，意味著我國在氮化鎵激光芯片領域已真正實現突破，打破了被國外企業長期壟斷的局面，填補了國內氮化鎵激光芯片產業化空白，在我國半導體激光器的發展史上具有里程碑的意義。