半導體光電材料和器件具備典型的軍民兩用特征，意義重大。一方面，先進制造、信息通信、探測感知等戰略性產業的發展離不開先進半導體光電材料與器件的應用；另一方面，高功率半導體激光器在國防與高精度導航領域也扮演著關鍵角色。
5月25日下午，“大功率半導體激光器前沿問題專題研討會”在蘇州召開，研討會由材料科學姑蘇實驗室主辦，集聚了國內大功率半導體激光器領域頂尖院士專家、龍頭企業家代表，為學術界、產業界同仁搭建高水平技術交流平臺，探討基礎的機理機制問題和未來產品發展共性技術問題，旨在增強同行業高水平企業間的合作，共同攜手攻克競爭前的共性技術難題，努力打造一個蘇州市創新集群建設的標桿，進而促進大功率半導體激光器整個國內行業基礎的提升。
產業學術界代表作主旨報告
首先，由四位產業界和學術界代表作主旨報告。
長光華芯副董事長、CTO王俊博士的報告圍繞高功率半導體激光器的發展趨勢、當前研究水平展開，指出行業面臨的主要問題——功率和亮度是半導體激光器的主戰場，功率尋求突破，需要考慮高熱導率熱沉、新型散熱結構問題；亮度尋求突破，需要加強模擬、設計、測量分析以及精確的工藝控制。此外，還要尋求降低制造成本的方式。
中科光芯董事長、總經理蘇輝博士則就“InP高功率半導體激光器關鍵問題及下步計劃”的主題進行分享，分析國內外產品市場情況，找出制約高功率半導體激光器的主要因素，包括電子限制、發熱與散熱、SOA集成和低損耗外延。下一步，計劃實現300~500mW級1550nm高功率半導體激光器，以及不同材料的集成以及級聯。
度亙激光副董事長、CTO楊國文博士介紹了高功率半導體激光器的分類、應用及瓶頸問題。高功率半導體研究是一項綜合性極強的系統工程，需要眾多學科交叉的深入融合，需要基礎科學與工程技術的深度融合。他指出行業未來發展的趨勢，將從設計、材料、工藝、封裝及失效機理幾個方面實現技術突破。同時，極端參量理論體系存在大量科學問題，逼迫對原理進行研究，將帶動各方面實現新型材料和器件產業的發展。
中科院蘇州納米所研究員劉建平的報告，結合理論和研究經驗，從研究背景、前沿問題，以及研究進展角度闡釋了氮化鎵激光器研究前沿與進展，并提出藍光激光器、綠光激光器、紫外激光器以及GaN基VCSEL和DFB激光器各自的發展瓶頸及原因。
院士專家研討環節
精彩的主旨報告之后，是專家研討環節。首先由中國工程院院士陳良惠發表講話，他說：今天的報告讓我們看到了國內大功率半導體激光器的最高水平，大家提到的一些關鍵共性技術問題，比如熱沉問題、銦磷國產化問題、模擬設計軟件國產化問題、MOCVD及MBE等設備的國產化問題，不是一家企業或者研發機構可以解決的，需要面向未來，由龍頭企業、科研院所、院士專家各方積極開展全方位深層次合作，可以考慮由姑蘇實驗室牽頭，面向這些領域開展聯合研究。姑蘇實驗室的“成果交易前置模式”模式，為合作提供了很好的范本，有助于聯合企業進行協同創新，促進產學研融合，提高成果轉化效率，實現高功率半導體激光器前沿關鍵技術的重大突破，引領行業技術創新與發展。
中國科學院院士王立軍表示，我國的半導體激光器技術早期與國外發展同步，但是長期受制于產業發展滯后的影響，整體水平與國際龍頭仍有差距。隨著近年來中國激光產業蓬勃發展，市場需求不斷釋放，以及國家陸續推出相關政策推動光電子器件行業的發展，為培養國際一流水平奠定了基礎。蘇州占據長三角區位優勢，集成電路產業基礎雄厚，擁有完善的集成電路產業鏈，行業龍頭企業集聚。蘇州有基礎、有能力集合全國優勢，攻克半導體激光器領域國家亟需的問題。王院士還從學術角度出發，建議要重視新結構、新材料，特別是高溫器件的研究。
姑蘇實驗室G2101項目負責人王庶民教授也從物理角度提出實驗室下一步重點關注方向的建議，一是通過改變增益的結構實現更高的增益，二是通過泵浦和放大分開設計諧振腔。中科院半導體所、中科院蘇州納米所、華為海思的參會專家也都紛紛發表各自的見解，為行業技術發展建言獻策。
實驗室執行主任楊輝研究員做總結發言，他表示，大功率半導體激光器在先進制造業和國家安全領域具有十分重要的意義。今天在座的各位企業都是國內半導體激光器領域的佼佼者，代表行業最高技術水平。同行之間應當加強聯合，共同探討國家“卡脖子”的共性技術問題，共同呼吁政府對大功率半導體激光器行業的關心與支持，共同面對新形勢、新要求帶給行業的壓力。企業面臨的共性技術難點問題，可以在姑蘇實驗室內組織攻克，實驗室擁有多學科交叉的一流科研人才資源、有一流的高端科研設備，還有頂尖的業內專家資源，幫助解決高水平技術問題。最后，楊主任呼吁大家以本次大會為開端，加強技術研討，凝聚合作共識，在姑蘇實驗室的平臺上，聯合長光華芯、度亙等企業組建跨界項目組合，打造蘇州市大功率半導體激光器創新集群標桿，提升全域產業創新能級。
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