半導體激光器自1962年誕生以來已經獲得了廣泛的應用，但其依然存在一個飽受詬病的缺點，即大的發散角和橢圓出光。通常垂直方向半角發散角大于30°，水平方向10°左右，這導致較低的光束質量和較差的可聚焦性。雖然通過光學方法可改善并實現大功率直接半導體激光光源，但光源最終光束質量仍將受限于單元器件光束質量。
最近，中國科學院長春光學精密機械研究所發光學及應用國家重點實驗室研究團隊提出一種新型的半導體激光器結構，其采用雙邊的布拉格反射波導，通過光子帶隙原理實現光場的控制，最終實現發散角小于5°的圓形光束半導體激光器。該激光器95%能量對應垂直發散角僅9.8°(國際報道最好為15.6°)，并且在不同電流驅動下均保持圓形光束出光，器件最高連續輸出功率達到4.6W，直接的光纖耦合實驗證明90%以上的耦合效率。
該方法是從半導體激光器結構入手，從源頭出發改善半導體激光器發散角等問題，可望替代目前商業化的半導體激光器，有著重要的應用前景。
最近，中國科學院長春光學精密機械研究所發光學及應用國家重點實驗室研究團隊提出一種新型的半導體激光器結構，其采用雙邊的布拉格反射波導，通過光子帶隙原理實現光場的控制，最終實現發散角小于5°的圓形光束半導體激光器。該激光器95%能量對應垂直發散角僅9.8°(國際報道最好為15.6°)，并且在不同電流驅動下均保持圓形光束出光，器件最高連續輸出功率達到4.6W，直接的光纖耦合實驗證明90%以上的耦合效率。
該方法是從半導體激光器結構入手，從源頭出發改善半導體激光器發散角等問題，可望替代目前商業化的半導體激光器，有著重要的應用前景。
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