第三代半導體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。
氮化鎵GaN已在消費電子率先突破，中高壓領域或后來居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化鎵GaN功率器件在低壓領域（0-900V）率先商用，替代傳統的硅基功率器件。更有實驗室宣布最新工作電壓可達1200V的硅基GaN外延片，如若該技術商業化順利，1000V以上中高壓領域，硅基GaN也有可能獲得一部分市場份額。
新能源汽車為碳化硅SiC的最重要應用領域，如主驅逆變器、DC/DC轉換器、車載充電機和充電樁等。相較于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET電動車的續航里程更長。EPA城市路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，將節省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，節省85%的能量損耗。能耗節省直觀增加車輛續航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的電動車比使用硅基IGBT電動車將增加5-10%的續航里程。
目前我國廠商已布局第三代半導體的設備、襯底、外延和器件全產業鏈環節，包括難度最大的襯底長晶環節，自動化程度較高的外延環節和應用于下游市場的器件環節。整體來看我國第三代半導體全產業鏈自主可控能力較強。
氮化鎵GaN單晶生長困難問題有何良策？
氮化鎵GaN何時可提升其射頻市場的滲透率？
碳化硅良率提升問題如何解決？
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更多您關心的第三代半導體盡在12月9日 深圳國際會展中心(寶安新館)“ 第三代半導體產業發展高峰論壇 ”誠邀您聽會交流
同期峰會預告：
2021第四屆“5G&半導體產業技術高峰會
時間：2021年12月8下午13:30-17:30日 地點：深圳國際會展中心（寶安）
時間 | 議題 | 演講者 |
主持人：北京大學博導 胡國慶教授 | ||
13:00-13:20 | 參會代表進場 | |
13:20-13:40 | 主辦方致辭 | |
13:40-14:00 | “中國芯”驅動世界精彩 | 中芯國際 |
14:00-14:20 | 趨勢而行 淺談汽車存儲的安全之路 | 深圳市江波龍電子股份有限公司 工業存儲事業部經理 |
14:20-14:40 | AI技術在半導體行業的應用與發展 Application and development of AI technology in the semiconductor industry | 思謀科技商務總監?趙安 |
14:40-15:00 | 缺陷檢測方案助力集成電路工藝-SMEE缺陷檢測產品 | 上海微電子裝備集團 周許超*自動光學檢測平臺經理 |
15:00-15:20 | 研磨劃片切割廢水循環回用，零排放 | 華清環保 總經理?丁山清博士 |
15:20-15:40 | 《芯設計·芯制造·芯競爭——芯時代下半導體企業如何提升研產銷、供應鏈協同的流程管理能力》 | 鼎捷軟件電子半導體事業部-副總經理 賴建安 |
15:40-16:00 | 主題自擬 | 聯想凌拓科技有限公司 |
16:00-16:20 | AOI技術在半導體領域的應用 | 蘇州鎂伽科技有限公司 |
16:20-16:40 | AIOT多核異構HK32MCPU為核心 打造航順無邊界生態平臺級企業 | 航順半導體?白海英 執行副總裁 |
觀聽請聯絡：13543266785 賈小姐
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