在華為遭受制裁之后，我們都明白了光刻機與芯片制造的重要性及技術難度。光刻機雖然是荷蘭ASML公司生產制造，但實際上設備中凝聚了世界科技之精華，比如光源的設計與生產是美國為主、高功率激光部件與鏡頭是德國工藝、部分核心電子設備又有愛爾蘭、荷蘭等國家的技術支持。
別看美國成天拿著光刻機對著他國又是威脅又是制裁，實際上雖然光刻機的生產制造依賴美國技術，可如果荷蘭、德國哪一天對美國進行技術封鎖，美國自己也造不出光刻機。換句話來說，目前世界上還沒有一個國家能夠獨立制造光刻機。
光刻機如此難造，那其中到底又有何奧妙呢？我們是做激光板卡的，就從激光部件說說相關知識吧
目前我們所說的光刻機一般指EUV光刻機，EUV指的是極紫外光，這是光刻機的第五代技術，也是目前最先進的技術。此前的DUV光刻機等前代產品，都是用深紫外光來進行加工處理的，隨著芯片制造工藝發展到5nm、3nm這一步，原先的光刻技術面臨考驗，新一代的EUV光刻機就成了半導體制造不可或缺的兵器。
在激光部件方面，EUV光刻機與DUV光刻機最大的不同之處在于光源，前幾代DUV用的光源是深紫外光，其波長為193nm，新一代EUV使用的是波長極短的13.5nm極紫外激光。極紫外激光的產生條件非常苛刻，需要將等離子體加熱到近22萬攝氏度，幾乎是太陽表面溫度的40倍，同時，極紫外光能夠電離幾乎所有組成普通物質的原子和分子，這種光不能與空氣接觸，只能在真空中傳播，所以極紫外光也被成為真空紫外光。
為制作極紫外激光相關部件，光刻機制造商荷蘭ASML公司與德國鏡頭制造商Zeiss以及德國光源制造商Trumpf通過多年合作，研制出了一套獨一無二的CO2激光系統。
這套系統能夠每秒發射出5萬粒錫珠，通過真空室并被激光脈沖擊中，當脈沖擊中錫珠時，錫被電離并產生高強度的等離子體，同時發出13.5nm極紫外激光，隨后的收集系統將其收集并輸出（13.5nm波長導致激光無法穿過透鏡，所以EUV系統為全反射，包括光罩、掩膜），從而開始對晶圓雕刻。
這套復雜的激光系統包含了極紫外光源、高功率放大鏈路、光束傳輸系統、光學平臺等多個精密合作的核心部件，輸出的激光脈沖超過3萬瓦的平均脈沖功率，峰值功率高達數兆瓦，是當代激光工藝的頂尖之作。
當然，EUV光刻機包含的先進科技雖然高深神秘，但也并非無法超越，科技發展風云變幻，沒人可以預測下一個十年的制造業風向，未來會走向何處如何，還需我們努力向前，沖破阻礙。
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