作為半導(dǎo)體激光器的核心，芯片一直是國內(nèi)相關(guān)企業(yè)的“痛點”。目前，我國大部分半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)商所使用的芯片，仍主要依靠從歐美日等西方國家進口。近年來，憑借在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域深耕多年而積累的豐富經(jīng)驗和堅實技術(shù)基礎(chǔ)，華光光電在波長808nm、光功率5W以下的低功率激光器市場，以卓越的性價比，占據(jù)了國內(nèi)的主要市場。
為進一步提高半導(dǎo)體激光器的國產(chǎn)化進程，華光光電近期推出了使用808nm 10W自產(chǎn)芯片的激光器件。這款產(chǎn)品的性能和可靠性等指標已通過了國內(nèi)專家組專家的鑒定和客戶端考評，主要指標達到業(yè)界領(lǐng)先水平。目前，該產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于激光美容、激光打標、安防監(jiān)控、泵浦源等領(lǐng)域，取得了良好的市場反應(yīng)。
使用808 10W自產(chǎn)芯片的激光器件的主要指標如下：在連續(xù)電流測試下的輸出功率達10.5W@10A；電光轉(zhuǎn)換效率57.4%；斜率效率1.3W/A；波長807.4nm。測試參數(shù)見圖1。
圖1
在頻率10Hz，脈寬200us的條件下，對器件進行了COD的測試，最高在53.8W@50A仍未出現(xiàn)COD，達到了額定工作電流的5倍以上，如圖2所示。在額定電流1.2倍下老化1200小時，未見功率衰減，見圖3。
圖2
圖3
目前推出的單管激光器主要有C-mount、T-mount、Q-mount封裝等各種定制封裝形式，見圖4。
圖4
為進一步提高半導(dǎo)體激光器的國產(chǎn)化進程，華光光電近期推出了使用808nm 10W自產(chǎn)芯片的激光器件。這款產(chǎn)品的性能和可靠性等指標已通過了國內(nèi)專家組專家的鑒定和客戶端考評，主要指標達到業(yè)界領(lǐng)先水平。目前，該產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于激光美容、激光打標、安防監(jiān)控、泵浦源等領(lǐng)域，取得了良好的市場反應(yīng)。
使用808 10W自產(chǎn)芯片的激光器件的主要指標如下：在連續(xù)電流測試下的輸出功率達10.5W@10A；電光轉(zhuǎn)換效率57.4%；斜率效率1.3W/A；波長807.4nm。測試參數(shù)見圖1。
圖1
在頻率10Hz，脈寬200us的條件下，對器件進行了COD的測試，最高在53.8W@50A仍未出現(xiàn)COD，達到了額定工作電流的5倍以上，如圖2所示。在額定電流1.2倍下老化1200小時，未見功率衰減，見圖3。
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目前推出的單管激光器主要有C-mount、T-mount、Q-mount封裝等各種定制封裝形式，見圖4。
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