智能手機(jī)的普及推動(dòng)著智能手機(jī)市場(chǎng)的增長(zhǎng)，市場(chǎng)對(duì)更高規(guī)格產(chǎn)品的要求也在提高，包括顯示屏尺寸、分辨率和電池壽命。
智能手機(jī)顯示屏中的準(zhǔn)分子激光系統(tǒng)
作為一個(gè)關(guān)鍵的加工工藝，準(zhǔn)分子激光退火(Excimer Laser Annealing, ELA)將非晶硅(a-Si)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч?/span>(p-Si)，使電子遷移率提高了數(shù)百倍，由此可以提升高端薄膜晶體管或顯示屏中的像素密度。準(zhǔn)分子激光器線光束系統(tǒng)能夠加工智能手機(jī)和OLED電視所需的有源矩陣驅(qū)動(dòng)液晶顯示屏(AMLCD)和主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板(AMOLED)。在最新的ELA系統(tǒng)中，由精巧的柱面光具傳輸出均勻的線形光束(尺寸為750 mm×0.4 mm)，可對(duì)第八代面板實(shí)現(xiàn)快速退火。
智能手機(jī)市場(chǎng)的需求
平板顯示器(Flat Panel Display, FPD)的制造商不得不面臨著日益嚴(yán)苛的要求，例如更高的分辨率、增強(qiáng)的對(duì)比度、更快的響應(yīng)時(shí)間，同時(shí)還要降低顯示器的功耗。這些要求超出了常規(guī)顯示屏(非晶硅背板)的性能極限。在智能手機(jī)和平板電腦上，高性能顯示屏的分辨率可達(dá)300像素/英寸以上——蘋果手機(jī)iPhone 5的Retina顯示屏就是一個(gè)很好的例子;該特性得益于導(dǎo)電背板具有較高的電子遷移率，而導(dǎo)電背板正是源自非晶硅。
準(zhǔn)分子激光退火技術(shù)促使平板顯示屏制造業(yè)從非晶硅轉(zhuǎn)變到多晶硅背板。由于這一技術(shù)具有低溫加工的特點(diǎn)，故得名“低溫多晶硅”(Low Temperature Polysilicon, LTPS)，它同樣適用于制造新興的OLED顯示屏以及柔性顯示屏。
智能手機(jī)市場(chǎng)的增長(zhǎng)有賴于低溫多晶硅
在有源矩陣平板顯示屏中，硅是薄膜晶體管(TFT)矩陣的半導(dǎo)體基礎(chǔ)，而TFT矩陣能夠?qū)Ω髯元?dú)立的像素進(jìn)行控制。起初，薄膜沉積是通過傳統(tǒng)的沉積技術(shù)來處理，例如在透明玻璃基材上采用PECVD法。所得到的硅薄膜其實(shí)是非晶態(tài)的，顯示出嚴(yán)重的缺陷，因此限制了其應(yīng)用于有源矩陣控制型LCD和OLED顯示屏;而多晶硅卻能克服這一缺陷，或者簡(jiǎn)而言之，多晶硅具有百倍高的載流子遷移率。
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