上海藍(lán)光經(jīng)過多年的研發(fā)攻關(guān)，近日在介質(zhì)復(fù)合襯底上取得重大突破。通過緩沖層與介質(zhì)襯底的組合技術(shù)，各項參數(shù)達(dá)到或超過目前最優(yōu)的PSS藍(lán)寶石襯底方案，完全可以取代目前昂貴的藍(lán)寶石PSS襯底方案，并且可以突破現(xiàn)有的PSS襯底及兩步生長法兩項重大基礎(chǔ)專利的封鎖。
從2006年開始，日本日亞化學(xué)(Nichia)、豐田合成(Toyoda Gosei)、美國Cree公司、飛利浦(Philips Lumileds)和德國的歐司朗(Osram)五大巨頭及韓國的三星、LG，臺灣的晶電、億光等企業(yè)之間的專利訴訟持續(xù)不斷，如日亞與億光的專利訴訟自2006年至今未停止。同時他們之間又通過專利授權(quán)和交叉授權(quán)來進(jìn)行來形成團(tuán)體優(yōu)勢，對后續(xù)進(jìn)入者形成了更高的門檻。這其中除2008年2月和8月兩次“337調(diào)查”中涉及大陸企業(yè)，其他訴訟中暫未涉及大陸企業(yè)。
隨著大陸產(chǎn)能的急劇擴(kuò)張和產(chǎn)品競爭力的不斷增強，針對大陸企業(yè)的專利訴訟一觸即發(fā)，雖然國內(nèi)部分企業(yè)通過收購或入股國外或臺灣企業(yè)，但其實并未掌握起決定作用的幾個核心基礎(chǔ)專利，對現(xiàn)有主流產(chǎn)品的專利保護(hù)相當(dāng)脆弱。PSS襯底專利及兩步生長法專利都是目前LED專利中非常重要的基礎(chǔ)專利，掌握在日亞等國際大廠中。目前國內(nèi)的MOCVD保有量已經(jīng)達(dá)到全世界40%以上，但所有的GaN基LED都用到兩步生長法，所有的白光LED全部用到PSS襯底，即國內(nèi)的LED芯片都存在專利侵權(quán)的風(fēng)險。
該項技術(shù)的突破，將推動國內(nèi)LED外延芯片原始創(chuàng)新技術(shù)及產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展，極有可能改寫目前國際LED芯片行業(yè)的競爭格局。
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