微影技術的研發已進展至極短波長的超紫外光(EUV)，來自美國馬里蘭大學(University of Maryland)的研究團隊則提出一種多光子光阻劑(multi-photon photoresists)，能讓可見光微影達到納米等級的分辨率；通常微影分辨率是與曝光時間成反比。
“大多數達到高分辨率微影的方法，都是與采用更短波長的光源有關；”馬里蘭大學教授John Fourkas表示：“我們的目標是以可見光產出納米級的微影效果。”該團隊新開發的多光子技術簡稱 RAPID (Resolution Augmentation through Photo-Induced Deactivation，透過光致去活化達到的分辨率強化方法)，以一道激光在光阻劑中啟動曝光，然后加入第二道激光來完成整個程序，僅在兩個聚焦光束重迭的納米等級范圍內進行完全曝光。
Fourkas指出：“只要我們用一道激光并透過顯微鏡物鏡來進行聚焦，我們就能把吸收作用(absorption)局限在激光聚焦體積的微小區域中。”研究人員已經就芯片上3D材料的選擇性聚合作用(selective polymerization)，將該技術優化；利用一種“多光子吸收聚合作用(Multi-photon Absorption Polymerization，MAP)”，研究團隊在芯片上制作出了微小的電感。
RAPID則是后續的工作，利用光阻劑的多光子吸收作用，來達成聚焦可見光微影的納米等級分辨率，可望延緩甚至可能免除采用超紫外光源的需要。
圖中是采用多光子吸收聚合作用(MAP)、接著又以選擇性金屬化(selective metallization)所制作的微電感(microinductor)
這種技術適用于標準的大氣壓力條件，不像深紫外光需要在真空中操作；該光阻劑中特有的光啟動程序(photo-initiator)是由一道激光所活化，然后再被第二道激光去活化，證實了研究人員稱之為PROVE (proportional velocity)的現象，也就是更高的曝光度可產出更小的特征尺寸。#p#分頁標題#e#
接下來研究人員計劃以晶圓片尺寸規格來測試其技術，突破到目前為止都是以逐點(point-by-point)方式進行的實驗；而該研究團隊也估計，RAPID技術要邁入商業化階段還需要約十年的時間。
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