近日，日本RIKEN先進光子學中心研究激光應用的科學家們宣布，他們采用一種“BiBurst”模式的激光新技術，將硅的燒蝕加工速度大幅提升了23倍。
該技術是通過使用在MHz包膜中分組的GHz飛秒激光脈沖來實現(xiàn)的。研究人員證明，在避免空氣電離的情況下，“BiBurst”模式能夠以比單脈沖模式快23倍的燒蝕速度蝕刻硅，同時不影響燒蝕質量。日前，相關的團隊研究成果已發(fā)表在《國際極限制造雜志》（IJEM）上。
在硅片半導體加工等實際應用中，提高燒蝕速度是非常必要的。原則上而言，激光強度越大，消融速度越快——然而，較高強度的飛秒激光脈沖由于空氣電離和產(chǎn)生過多的熱量而頻遭偶然損傷。BiBurst模式飛秒激光加工改寫了飛秒激光加工以往的常識，將幫助克服工業(yè)應用中的一系列瓶頸。
在GHz脈沖中，入射的飛秒激光脈沖序列具有極短的幾百皮秒（ps）脈沖間隔，控制時間能量沉積在硅上，從來提高了消融效率和質量。然后，該團隊進一步探索了在明顯更高的BiBurst脈沖能量下進行高速、精細微加工硅的能力，這對應于BiBurst脈沖中每個脈沖的綜合能量。
值得注意的是，當傳遞相同的激光總能量時，BiBurst脈沖中每個飛秒激光脈沖（內(nèi)脈沖）的能量明顯小于單脈沖模式的脈沖能量。再單脈沖模式中，一旦強度超過臨界值，空氣電離會導致燒蝕表面發(fā)生嚴重損壞。而相比之下，BiBurst模式由于其較低的脈沖內(nèi)強度，則能夠提供更高的總能量來燒蝕硅，而不會引起空氣電離。
因此，在避免空氣電離的情況下，BiBurst模式能夠在總能量和消融效率的協(xié)同作用下，消融速度比單脈沖模式提高了23倍。此外，BiBurst對能量沉積的時間控制，使之即便在如此高的總能量下仍然保持很高的燒蝕質量。
而在單脈沖模式下，當脈沖內(nèi)能量超過消融閾值能量時，消融效率會逐漸降低，因為單個脈沖內(nèi)可以直接誘導消融。在這種情況下，燒蝕效率不再能夠依賴于連續(xù)內(nèi)部脈沖的協(xié)同貢獻而提高。
總結來看，BiBurst模式下較低的脈沖內(nèi)能量，既能避免空氣電離，又能保持較高的消融效率，從而獲得比GHz突發(fā)單脈沖或單脈沖模式更高的消融速度。因此，BiBurst模式下的激光燒蝕有潛力實現(xiàn)更高的加工吞吐量，同時保持高質量的硅微加工方面的實際應用。
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