工信部近日印發了《產業關鍵共性技術發展指南（2013年）》，明確將“高速光通信關鍵器件和芯片技術”、“寬帶光通信技術”列入優先發展的范疇，將利好光通信廠商。
業界多位光通信專家均表示，核心光器件和芯片技術研發是我國在光通信急需提升的一大領域。國際經驗表明，高端光器件產品將是未來光器件行業的發展方向。
目前，高端的關鍵芯片技術掌握在國外公司手中，國內的高端器件生產受到嚴重制約。芯片國產化、高端化不僅能提升光通信廠商的競爭力，還能提高其利潤率。工信部此舉將利好光迅科技為代表的光通信廠商。
不久前，由光迅科技牽頭的《通信光電子器件的關鍵工藝與支撐技術研究》項目已順利完成，該項目解決了制約我國光通信產業發展的瓶頸――“空芯化”問題。據悉，公司10Gb/sADP芯片于2013年Q3進入大批量生產階段。
“芯片受制于人是公司進入高端市場的重大瓶頸，主要競爭對手壟斷了高端芯片，公司受制于芯片供應，特別是高端的40G、100G產品難以量產。”一位匿名分析師如此表示。
資料顯示，“高速光通信關鍵器件和芯片技術”主要技術內容包含：窄線寬可調光源、調制及驅動器件、集成相干接收機、高速率模數轉換芯片、高速信號處理算法處理芯片和增強型FEC芯片、成幀及復接芯片、40Gb/s和100Gb/s客戶側模塊等。
“寬帶光通信技術”主要技術內容包含：高速光傳輸技術；光電交換技術和光網絡控制平面技術；以無源光網絡（PON）為代表的寬帶光接入技術。
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