“許多的經(jīng)濟(jì)規(guī)模實(shí)際上取決于掃瞄器能否達(dá)到一定的吞吐量閾值，而這就是我們付出許多心血之處，”Arnold表示。“如果這是一個只要付出大量心力就能解決的問題，我們終將解決這個問題。”
然而，如果短期內(nèi)無法克服吞吐量的問題，芯片制造商們將別無選擇，只能再進(jìn)一步尋求擴(kuò)展193 nm ArF光刻技術(shù)的替代方法。ArF光刻技術(shù)一直是過去十年來的主流途徑。
但這樣做的代價(jià)不菲。制程工程師們已利用一些技術(shù)進(jìn)行22nm節(jié)點(diǎn)的芯片制造，這些技術(shù)包括光學(xué)鄰近校正(OPC)、相位移掩膜(PSM)，以及最近的浸入式光刻技術(shù)、光源掩膜優(yōu)化和雙重曝光等。使用一組掩膜花費(fèi)可能就高達(dá)2百萬美元以上，是芯片設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時的最高成本之一。
英特爾公司已下注于這項(xiàng)技術(shù)了。該公司希望在10nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵層利用EUV技術(shù)作為其主要的光刻技術(shù)，但另一方面也研究如何擴(kuò)展ArF光刻技術(shù)至10nm的方法，根據(jù)英特爾公司研究員Vivek Singh表示。
但英特爾必須很快地作出決定，究竟要不要為10nm制程建立兩套設(shè)計(jì)規(guī)則──一套用于EUV，另一套則用于ArF？或是只選用其中一種？Singh補(bǔ)充道，“這就跟錢有關(guān)了。”
英特爾的另一位研究人員Mark Bohr最近告訴我們，英特爾公司在擴(kuò)展193nm浸入式光刻至10nm節(jié)點(diǎn)上已經(jīng)得到令人振奮的結(jié)果了，但他并未透露進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。
歐洲微電子研究中心(IMEC)一直是研究EUV光刻技術(shù)的旗艦中心，去年7月宣布開始采用ASML試產(chǎn)工具曝光EUV晶圓。但I(xiàn)ME也進(jìn)行其它應(yīng)急措施；CEO Luc Van den Hove最近表示，IMEC將采用ASML最新的193nm浸入式光刻工具來處理光學(xué)光刻開發(fā)作業(yè)；一旦面臨EUV無法用于14nm節(jié)點(diǎn)的情況下，這將可作為一項(xiàng)備用計(jì)劃。
但在14nm及更先進(jìn)制程，采用光學(xué)浸入式光刻技術(shù)的雙重圖形方法無法提供足夠的解析度來寫入光罩特色；有時還必須使用到三倍、四倍或什至五倍圖形。
但以往只需要使用一個光罩的關(guān)鍵層，現(xiàn)在卻得使用多達(dá)五個光罩──這將會為任何設(shè)計(jì)增加相當(dāng)大的成本。但至于費(fèi)用貴到什程度會成為問題，現(xiàn)在也還不清楚，因?yàn)镋UV本身就不便宜。一些設(shè)備市場分析師指出，生產(chǎn)EUV工具的花費(fèi)可能高達(dá)1億美元以上。
根據(jù)KLA的Haas表示，EUV技術(shù)的開發(fā)困境可能是'噩夢'一場，挑戰(zhàn)著業(yè)界供應(yīng)鏈的根本經(jīng)濟(jì)學(xué)。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達(dá)到每小時超過30片晶圓，記憶體芯片制造商仍可能以該技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但一般代工廠、邏輯芯片供應(yīng)商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應(yīng)商以較銷售預(yù)期更少的產(chǎn)量來攤銷EUV光罩偵測工具及其它設(shè)備的開發(fā)成本，最終導(dǎo)致成本更高，而使?jié)撛谫I主因天價(jià)而怯步或撤銷購買計(jì)劃。
Haas認(rèn)為，ASML公司最終將解決光源問題，并讓EUV工具達(dá)到可進(jìn)行商用生產(chǎn)的吞吐量。
“我很樂觀，而且我們也應(yīng)該要樂觀面對。因?yàn)槲覀兌伎窟@項(xiàng)技術(shù)了。EUV光刻技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上勢在必行。”
到了2015年時，我們就會知道是采取這種或哪一種方式了。
但以往只需要使用一個光罩的關(guān)鍵層，現(xiàn)在卻得使用多達(dá)五個光罩──這將會為任何設(shè)計(jì)增加相當(dāng)大的成本。但至于費(fèi)用貴到什程度會成為問題，現(xiàn)在也還不清楚，因?yàn)镋UV本身就不便宜。一些設(shè)備市場分析師指出，生產(chǎn)EUV工具的花費(fèi)可能高達(dá)1億美元以上。
根據(jù)KLA的Haas表示，EUV技術(shù)的開發(fā)困境可能是'噩夢'一場，挑戰(zhàn)著業(yè)界供應(yīng)鏈的根本經(jīng)濟(jì)學(xué)。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達(dá)到每小時超過30片晶圓，記憶體芯片制造商仍可能以該技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但一般代工廠、邏輯芯片供應(yīng)商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應(yīng)商以較銷售預(yù)期更少的產(chǎn)量來攤銷EUV光罩偵測工具及其它設(shè)備的開發(fā)成本，最終導(dǎo)致成本更高，而使?jié)撛谫I主因天價(jià)而怯步或撤銷購買計(jì)劃。
Haas認(rèn)為，ASML公司最終將解決光源問題，并讓EUV工具達(dá)到可進(jìn)行商用生產(chǎn)的吞吐量。
“我很樂觀，而且我們也應(yīng)該要樂觀面對。因?yàn)槲覀兌伎窟@項(xiàng)技術(shù)了。EUV光刻技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上勢在必行。”
到了2015年時，我們就會知道是采取這種或哪一種方式了。
但以往只需要使用一個光罩的關(guān)鍵層，現(xiàn)在卻得使用多達(dá)五個光罩──這將會為任何設(shè)計(jì)增加相當(dāng)大的成本。但至于費(fèi)用貴到什程度會成為問題，現(xiàn)在也還不清楚，因?yàn)镋UV本身就不便宜。一些設(shè)備市場分析師指出，生產(chǎn)EUV工具的花費(fèi)可能高達(dá)1億美元以上。
根據(jù)KLA的Haas表示，EUV技術(shù)的開發(fā)困境可能是'噩夢'一場，挑戰(zhàn)著業(yè)界供應(yīng)鏈的根本經(jīng)濟(jì)學(xué)。Haas警告，如果EUV光刻工具的吞吐量無法達(dá)到每小時超過30片晶圓，記憶體芯片制造商仍可能以該技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但一般代工廠、邏輯芯片供應(yīng)商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應(yīng)商以較銷售預(yù)期更少的產(chǎn)量來攤銷EUV光罩偵測工具及其它設(shè)備的開發(fā)成本，最終導(dǎo)致成本更高，而使?jié)撛谫I主因天價(jià)而怯步或撤銷購買計(jì)劃。
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“我很樂觀，而且我們也應(yīng)該要樂觀面對。因?yàn)槲覀兌伎窟@項(xiàng)技術(shù)了。EUV光刻技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上勢在必行。”
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