近期，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)北京晶飛半導(dǎo)體科技在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，成功利用自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備實現(xiàn)了12英寸碳化硅晶圓的剝離。該突破標(biāo)志著中國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備領(lǐng)域邁出重要一步，為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的降本增效提供了全新解決方案。
本次技術(shù)突破對碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有多重意義，主要包括：大幅降低生產(chǎn)成本：12英寸碳化硅晶圓相比目前主流的6英寸晶圓，可用面積提升約4倍，單位芯片成本降低30%—40%；提升產(chǎn)業(yè)供給能力：解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術(shù)瓶頸，為全球碳化硅產(chǎn)能擴張?zhí)峁┝嗽O(shè)備保障；加速國產(chǎn)化替代進程：打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，為我國半導(dǎo)體裝備自主可控提供了重要支撐；促進下游應(yīng)用普及：成本降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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