近期，激光芯片賽道的融資消息不斷。 公開信息顯示，2025年7月剛開始，短短一周內，三家光芯片頭部企業相繼宣布完成億元級大額融資，顯示出資本對激光芯片領域的高度關注與青睞。 2025年7月3日消息稱，常州縱慧芯光半導體科技有限公司宣布獲東陽光控股領投的數億元資金，資金將用于FabX產線投產及光通信市場開拓； 7月1日，北京颶芯科技有限公司完成3億元B輪融資，由國家制造業基金聯合領投，加速氮化鎵激光芯片產業化； 與此同時，也是在7月份，光本位智能科技（上海）有限公司也宣布完成新一輪融資，這半年內再獲敦鴻資產等國資基金加持，公司估值突破10億元，此次融資將用于推動光計算芯片商業化落地。 事實上，密集資本注入背后，是國產光芯片技術的關鍵性突破。 其中，縱慧芯光FabX產線攻克3英寸化合物半導體工藝，年產能躍升至5000萬顆；颶芯科技突破氮化鎵缺陷控制技術，實現千萬級高功率芯片出貨；光本位科技將光子存算芯片矩陣規?？缭绞降臄U展。 還有值得一的是，7月8日，科創板四大中國的光芯片企業——德科立、長光華芯、仕佳光子、源杰科技，也罕見集體發聲，宣布100G EML芯片量產、薄膜鈮酸鋰芯片出海等成果。 當前，在自動駕駛、AI大模型、6G通信的算力洪流下，光芯片正從“實驗室星辰”蛻變為“產業引擎”。隨著頭部產業資本與國家隊基金重倉布局，中國激光芯片的國產化替代與全球化競合，已進入新一輪加速周期。 2025年7月3日，國產光芯片企業常州縱慧芯光半導體科技有限公司完成數億元融資，本輪融資由廣東東陽光科技控股股份有限公司領投，老股東永鑫方舟、耀途資本跟投。自2015年成立以來，縱慧芯光深耕垂直腔面發射激光器（VCSEL）芯片、光通信激光芯片等領域，產品已應用于消費電子、3D感知、自動駕駛等場景，市場前景廣闊。 本輪融資將重點投向FAB產線建設、新產品研發及光通信市場開拓。其中，總投資5.5億元的FabX項目尤為關鍵——該項目規劃建設一條年產5000萬顆芯片的3英寸化合物半導體光芯片產線，配套先進研發與測試中心，占地約2.8萬平方米，預計2025年全面投產。 屆時，產線將具備大規模制造砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）激光芯片的能力，為AI數據中心、車載激光雷達等高帶寬、高速率場景提供核心支持，助力縱慧芯光提升全球市場競爭力。 如果說縱慧芯光是“厚積薄發”的代表，那么，北京颶芯科技有限公司的融資則更像“十年磨一劍”的突破。 7月1日，這家由深耕氮化鎵（GaN）激光芯片20余年的博士團隊創立的企業，宣布完成3億元B輪融資，由深創投制造業轉型升級新材料基金、國風投新智基金聯合領投，廣發信德、盛景嘉成參與投資，老股東荷塘創投持續加注。 據悉，氮化鎵激光芯片素有“光電子領域明珠”之稱，廣泛應用于激光電視、投影、工業焊接、AR/VR等領域，但長期被日美企業壟斷。 颶芯科技的核心突破始于對“缺陷控制”與“漏電擊穿”兩大技術瓶頸的攻克：團隊通過精確控制每平方厘米數百萬個缺陷的分布，并設計新型防漏電結構，最終實現長壽命、高性能芯片的量產。 2004年，颶芯科技團隊在國內首次實現405nm波長氮化鎵基激光器的電注入激射，填補國內空白；2023年建成國內首條GaN半導體激光芯片量產線；2024年率先實現大功率芯片批量供貨，目前已穩定出貨數千萬顆，產品覆蓋紫、藍、綠光多功率段，成功替代進口，應用于激光電視、有色金屬焊接、激光手術、AR通訊等領域。 本輪融資將用于柳州基地產能擴建、產品升級及市場拓展，深化產業鏈協同，加速從技術追趕到產業引領的跨越。 2025年7月，成立僅3年的光本位智能科技（上海）有限公司，宣布完成新一輪融資，由敦鴻資產領投，浦東創投集團旗下浦東科技天使母基金、蘇州未來天使產業基金、張江科投等國資基金聯合跟投，老股東中贏創投持續加注，慕石資本擔任獨家財務顧問。 值得注意的是，這是光本位科技半年內完成的第二輪融資，距離2024年12月戰略輪融資僅過去半年，凸顯資本市場對其高度認可。 這家光芯片賽道的“黑馬”——半年內完成兩輪融資，估值突破10億元，技術進展更令行業側目。 光本位科技成立于2022年，是全球首家采用“硅光+相變材料（PCM）”異質集成技術實現存算一體化的企業，核心產品光子存算芯片與光電融合計算卡，聚焦大模型訓練/推理、智算中心、自動駕駛等高算力場景。2024年6月，公司完成全球首顆128×128矩陣光計算芯片流片，峰值算力達1700TOPS，功耗僅為電芯片的1/10，延遲顯著降低；目前正推進256×256芯片流片與第一代光電融合計算卡封測，512×128產品設計也在同步開展。 憑借頂尖團隊與領先技術，光本位科技已與國內一線互聯網公司合作驗證光計算系統，構建產業生態。本輪融資將進一步加速技術落地，推動光計算從“技術突圍”走向“產業引領”。 在算力需求爆發式增長的背景下，光芯片作為光通信的核心部件，其自主可控與創新發展至關重要。 7月8日，來自科創板的德科立、長光華芯、仕佳光子、源杰科技四家光芯片企業高管罕見同臺，分享了國產化進程中的關鍵進展：德科立的薄膜鈮酸鋰芯片獲海外訂單；長光華芯100G EML實現量產，200G EML進入送樣階段；仕佳光子打破AWG波分復用芯片壟斷，布局800G/1.6T光模塊；源杰科技自研硅光光源2024年向400G/800G硅光模塊出貨超百萬顆，200G PAM4 EML完成開發。 目前，國內光芯片產業鏈已逐步實現III-V族DFB、EML等核心芯片的自主可控，并向高端產品國產化加速邁進。面對光通信產業的強周期性與快速技術迭代，企業正通過“技術+生態+現金流”構建護城河。 在全球化布局上，中國的光芯片企業從“國產替代”向“全球競合”轉變：德科立海外構建一體化網絡，長光華芯計劃國際并購，仕佳光子泰國建設產線，源杰科技憑高端技術拓展海外份額。 可以預見的是，未來，隨著技術迭代和協同合作，將進一步助力國產光芯片在全球競爭中占據主動，中國的光芯片企業有望在未來的國際市場取得更大突破。
來源：激光制造網 編輯：十一郎
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