國產(chǎn)光刻機核心技術(shù)再迎突破，哈工大成功研制出了高速超精密激光干涉儀，目前可用于350nm到28nm工藝的光刻機樣機集成研制和性能測試，意味著我們離光刻機又近了一步。
要想發(fā)展半導(dǎo)體，光刻機是繞不過去的一個環(huán)節(jié)。早在2018年，中芯國際就預(yù)訂了一臺EUV光刻機，但一直沒有到貨。到2023年1月底，美國聯(lián)合日本、荷蘭簽署“協(xié)議”，進一步阻止向我國出售DUV光刻機，企圖在芯片制造設(shè)備這個環(huán)境打壓中國半導(dǎo)體的發(fā)展，在光刻機這條道路上，可以說走得非常曲折。
從華為遭遇老美打壓后，嚴(yán)重暴露出我國在高端芯片的短板，核心就是要解決光刻機問題。中科院院長白春禮：中科院將集結(jié)精銳力量組織系統(tǒng)攻關(guān)，有效解決一批“卡脖子”問題。光刻機便是其中的一項，在中科院的號召下，我國上海微電子堅持自主研發(fā)，立志突破光刻機核心技術(shù)。
目前在國產(chǎn)光刻機技術(shù)已有重大進展，根據(jù)媒體報道，在2022年，上海微電子在國產(chǎn)90nm光刻機已經(jīng)取得了突破，在多重曝光技術(shù)，可以將芯片制程縮小到22nm。另外，上海微電子和國內(nèi)多個廠商聯(lián)合，多個核心技術(shù)突破消息頻頻傳來。如華為公布了光刻機技術(shù)相關(guān)的專利；前方還有另一條好消息傳來，上海微電子生產(chǎn)的首臺2.5D/3D先進封裝光刻機順利交付并正式投入使用。
這是我國光刻機一項關(guān)鍵技術(shù)，采用這種激光干涉儀，才能滿足掩膜工作臺、硅片雙工作臺、物鏡系統(tǒng)復(fù)雜的相對位置和姿態(tài)測量需求，保證光刻機的整體套刻精度，這對國產(chǎn)光刻機有什么意義呢？
這項技術(shù)解決我國高端裝備發(fā)展和量子化計量基準(zhǔn)等前沿研究的“卡脖子”問題。團隊突破系列核心測量方法和工程化關(guān)鍵技術(shù)，該領(lǐng)域存在的測不準(zhǔn)、測不精、測不快的核心難題將被徹底解決。
眾所周知，EUV光刻機涉及10萬個零部件，來自全球100多個國家，即使是荷蘭阿斯蘭也無法制造出光刻機所有的零部件，也需要從其他國家進口，完成光刻機的組裝。所以說光刻機是一個十分精密復(fù)雜的設(shè)備。涉及光源、雙工件臺、物鏡是光刻機的三大核心系統(tǒng)。目前在雙工件臺、物鏡核心技術(shù)，我國早已突破，只剩下光源方面。
早在2021年，清華大學(xué)的研發(fā)團隊發(fā)明了一種名為“穩(wěn)態(tài)微聚束”（SSMB）的加速器光源，這種新型加速器光源能夠?qū)崿F(xiàn)大功率、高中頻以及窄帶寬輻射，它可以為光刻機的研發(fā)提供相關(guān)技術(shù)。其實，對于光源技術(shù)相信也即將迎來好消息。這也意味著，國產(chǎn)光刻機即將迎來突破。
可以說，我國在光刻機方面發(fā)展速度還是非常快的，阿斯麥曾多次發(fā)出預(yù)警：中國突破光刻機，只是時間問題。
在傳統(tǒng)芯片產(chǎn)業(yè)上，我國已經(jīng)取得了很多不錯的成績，光刻機需要突破，也一定會突破。在新的道路上，我國也走在世界的前列，無論在傳統(tǒng)道路上還是借助新賽道一旦取得突破，美國就再也沒有辦法了。
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