大阪府立大學和日本產業技術綜合研究所（產綜研）2016年3月16日宣布，使用適合工業生產的光刻法，成功制造出了Q值（表示光密封強度的指標）達到100萬以上的光納米共振器。此次成果使硅光子晶體元器件的量產成為可能，有望創造新型光子產業。
使用硅光子晶體的光納米共振器可將光強力密封在微小區域內，憑借這一特點，可應用于硅激光器、光存儲器及醫療診斷傳感器等領域。尤其是在近年來備受關注的超低功耗硅拉曼激光器領域，擁有100萬以上Q值的光納米共振器被認為是不可或缺的。
Q值達到100萬以上的光納米共振器一直采用不適合大量生產的電子束刻蝕法制造。要想實現在工業中的應用，就必須使用在半導體制造中常見的光刻法在大面積晶圓上統一制造。光刻法雖然擁有電子束刻蝕法100萬倍的生產效率，但在微細圖案形成方面精度較差，以前Q值只能達到20萬。
此次，在產綜研超級無塵室（SCR）的硅元器件一條龍試制生產線上，使用最尖端的ArF液浸光刻法以及一線技術人員的工藝經驗，在直徑為30cm的硅晶圓的整個面上制造出了高精度光納米共振器。對多個樣品進行檢測的結果表明，可獲得平均150萬、最高200萬以上的Q值。今后，通過優化共振器的構造，還有望獲得更高的Q值。
除了超高Q值光納米共振器以外，硅光子晶體在太陽能電池、熱輔射光源及熱電發電等領域的應用開發也日趨活躍。并且，通過進一步發展此次的研究成果，還有望在其他應用領域實現基于光刻法手段的量產。
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