1956年，在我國十二年科學技術發展遠景規劃中，半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一。為了創建中國半導體科學技術的研究發展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所，開啟了中國半導體科學技術的發展之路。
半導體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室（半導體所區）；兩個院級實驗室（中心）—半導體材料科學重點實驗室、中科院半導體照明研發中心。此外，還設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、高速電路與神經網絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、元器件檢測中心和半導體能源研究發展中心。
截至2013年底，半導體研究所共有有效專利586項，其中發明專利559項，實用新型27項，激光成像系統專利12項占總專利數2%，全固態激光器13項，占所有專利約2%。
有效技術專利分布圖及激光成像系統和全固態激光器系統專利詳細內容列表
小結
通常所說的有效專利，是指，專利申請被授權后，仍處于有效狀態的專利。要使專利處于有效狀態，首先，該專利權還處在法定保護期限內，另外，專利權人需要按規定繳納了年費。
專利申請被授權后，因為已經超過法定保護期限或因為專利權人未及時繳納專利年費而喪失了專利權之后，稱為失效專利。失效專利對所設計的技術的使用不再有約束力。
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