歐盟節能硅發射器使用 III-V 族半導體量子點和量子點材料的異質集成（SEQUOIA）項目報道稱在硅光子集成電路（PIC）上取得新進展。
從2013開始，SEQUOIA項目一直在開發具有較好的熱穩定性、高調制帶寬以及可能產生平面波分復用蜂窩的混合 III-V激光器。
通過使用硅襯底納米結構異質集成材料，光學濾波器可以直接與異質量子點/量子簇/硅激光器集成制備出線性調頻激光器。與直接調制激光器相比，該激光器有一個增強的調制帶寬和消光比。作為該技術的一個例子，目的是開發一個總容量400Gbps發射機（16x25Gbps）。
在該項目的第一個階段，量子點/量子簇材料質量有了明顯的提高，卡塞爾大學最近展示了直接調制比特率達 34Gbps的量子點激光器，創造了新記錄。同時，量子點晶片成功地結合到硅晶片上。
兩種 PIC 最終示范產品也設計完成，分別是直接調制比特率達 25Gbps 的線性調頻激光器和與級聯環諧振器調節器集成為一體的光梳子雷射。這些PIC使用16波分復用信道便可提供 400Gbps的總容量，以更低的成本提供更好的性能，并通過采用新材料和新集成工藝增強器件性能。
該項目由 III-V 族實驗室領導，該實驗室在 InP 基光子學和硅基 III-V族混合集成方面有精湛的專業知識。另外兩個德合作伙伴是總部位于多特蒙德的 innolume公司和卡塞爾大學內，這兩個單位在材料和 III-V光電研究方面都創紀錄成果。其他合作伙伴有法國電子與信息技術實驗室；丹麥技術大學光子工程學院；法國雷恩大學福田實驗室。
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