引言
傳統(tǒng)硅晶片的切割方法主要是金剛石鋸，偶爾也使用劃線折斷工藝，這種方法只能切割直線，并且邊緣具有較嚴重的裂痕，或者使用倍頻的鐵合金激光器，這種方法和微噴工藝，一樣都操作昂貴，速度緩慢。最近SPI開發(fā)了一種光纖激光器切割工藝，該工藝能在較快的切割速度下，仍然具有極好的切割質(zhì)量。
結(jié)果
使用200W連續(xù)光纖激光器對200μm（0.008”）厚度的多晶硅進行切割時，切割速度可達10m/min，并且可得到高度平滑的切割邊緣，沒有任何裂縫的痕跡。可以做到和側(cè)面平行、無任何邊緣碎裂痕跡的40微米的切口寬度。甚至在1.2mm厚度（0.005”）,切割速度也可超過1m/min。這個比現(xiàn)存的所有其他硅切割技術(shù)都要快。
下表展現(xiàn)了光纖激光器切割硅的能力。
化晶圓切割
該激光器在切割化晶圓時，都具備超常的邊緣質(zhì)量，無任何裂痕或碎痕的跡象。這種新型切割工藝，在切割任何形狀時都能擁有像切割直線那樣的切割質(zhì)量（這個目前是金剛石鋸切割法的缺陷）。
200µm 硅片切割
SPI脈沖激光器也可以用于切割或?qū)柽M行劃線。當激光運行功率為20W,重復(fù)率為65 kHz，脈沖長度 75ns時，可達到200mm/min的切割速度。這個過程的特征是會在切割邊緣由再次固化反應(yīng)形成的小節(jié)。
使用脈沖激光器，可以很容易地在硅材料上切割盲槽或凹槽。目前SPI正在和一些系統(tǒng)集成商合作，從而將這些切割工藝商業(yè)化。
總結(jié)
硅材料廣泛應(yīng)用于很多工業(yè)領(lǐng)域中，特別是太陽能電池和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，在珠寶首飾和娛樂產(chǎn)品中的應(yīng)用也在不斷增加。大部分應(yīng)用使用的源材料是以晶片硅的形式存在。通常晶片的厚度為0.2-1.5mm (0.008”–0.06”) ，直徑為100-300mm (4”-12”) 。本文專門集中說明了切割模式晶圓，單晶和多晶硅(200µm)的方法。通過考察脈沖和連續(xù)激光器，發(fā)現(xiàn)光纖激光器相對其他現(xiàn)存的硅切割技術(shù)具有很強的競爭力。
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