近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所異質集成XOI團隊，在通訊波段硅基磷化銦異質集成激光器方面取得了重要進展。基于“離子刀”異質集成技術成功制備出高質量4英寸硅基InP單晶薄膜異質襯底（InPOS），并進一步制備了性能優異的晶圓級硅基1.55 mm通訊波段法布里-珀羅腔（FP）腔激光器，得益于高質量的硅基磷化銦單晶薄膜，器件連續波（CW）模式下單面最高輸出功率達155 mW且未飽和，CW模式最高可工作至120 ℃，且閾值電流低至0.65 kA/cm-2，目前，在輸出功率、工作溫度和閾值電流密度等主要指標方面均為單片集成獲得的硅基C波段FP腔激光器國際已報道的最優值。
相關研究成果以“High-power, electrically-driven continuous-wave 1.55-μm Si-based multi-quantum well lasers with a wide operating temperature range grown on wafer-scale InP-on-Si (100) heterogeneous substrate”為題在線發表在最新一期國際頂級光學期刊Light：Science & Applications（IF=19.4）上，論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41377-024-01389-2。 硅光子學由于其和成熟、低成本互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝之間的兼容性，被認為是后摩爾時代未來光通訊最具潛力的解決方案之一，從而替代傳統的銅互連。然而，由于硅的間接帶隙，高效、穩定的片上集成光源是目前硅基光子集成電路中最重要且亟待解決的部分。目前主流的解決方案通常是通過直接異質外延，在硅襯底上外延光電特性優異的直接帶隙III-V族材料，進而制備高性能激光器作為片上光源。近年來，由于量子點（QD）對缺陷的強容忍性和高溫下的熱穩定性，以及其異質外延生長技術的不斷發展完善，基于砷化鎵（GaAs）的硅基1.3 mm-O波段InAs QD激光器已經取得了大量的進展，包括極低的閾值電流密度以及優異的器件壽命等等。然而，除了O波段，基于InP襯底的1.55 mm-C波段激光器對于覆蓋全通訊波段更為重要，包括在長距離低損耗傳輸、傳感以及激光雷達等領域的應用。相較于GaAs和Si（4%），由于磷化銦（InP）和硅之間更大的物理失配（8%），Si上外延的InP薄膜缺陷密度始終保持在108量級，且InP上QD的生長結果也進展緩慢，導致目前C波段片上光源發展嚴重滯后。 中國科學院上海微系統與信息技術研究所歐欣課題組基于離子束剝離技術，首先制備高質量大尺寸異質集成硅基InP晶圓，隨后在異質集成襯底上生長1.55 mm激光器結構，從而在“異質”襯底上實現了近似“同質”外延效果的單片集成片上光源。外延后TEM中并沒有觀察到直接異質外延當中常見的高密度位錯，且表面仍具備極低的粗糙度（0.4 nm），打破了傳統異質外延中的“失配枷鎖”。基于此技術路線進而在晶圓級異質襯底上制備了高性能FP腔C波段激光器。硅基激光器在連續波模式高溫條件下甚至展現出了超越體材料器件的熱穩定性，更低的自熱效應以及更高的工作溫度，CW和Pulsed模式下的輸出曲線以及激射波長紅移速度對比均驗證了剝離所得硅基InP薄膜質量和InP體材料的可比擬性。研究團隊基于硅基InP異質襯底對C波段激光器的性能提升在用于光子集成電路的片上光源發展領域具有重要意義。 本文共同第一作者為中國科學院上海微系統與信息技術研究所博士生孫嘉良、博士后林家杰，中國科學院上海微系統與信息技術研究所游天桂研究員和歐欣研究員為論文共同通訊作者。 該研究工作得到了基金委重大項目（62293521）和上海市啟明星項目（22QA1410700）等的支持。 圖1 異質集成晶圓級硅基InP襯底、器件示意圖以及硅基器件和體材料器件性能對比 圖2 通過異質直接外延制備的硅基1.55 mm激光器在閾值電流密度以及最高工作溫度方面的發展歷程及與本工作的對比
轉載請注明出處。
相關文章
熱門資訊
精彩導讀
關注我們
