新墨西哥州阿爾布開爾基的桑迪亞國家實驗室取得了微光學(xué)領(lǐng)域的開創(chuàng)性突破，通過開發(fā)一種創(chuàng)新方法，成功地將多種微光學(xué)元件無縫集成到硅基底上。這一前沿技術(shù)的成果獲得了新的專利，突顯了他們在集成光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的引領(lǐng)地位。其核心在于將一種新型硅集成微激光器與不同微尺度光學(xué)元件相融合，為自動駕駛汽車、數(shù)據(jù)中心、生物化學(xué)傳感和國防技術(shù)等領(lǐng)域的應(yīng)用帶來了重大影響。
圖：研究人員在一塊直徑為3英寸的金電鍍硅晶片上進行了激光器和放大器的集成。
最近授予桑迪亞的專利標志著在多種材料集成于硅基底的領(lǐng)域取得了關(guān)鍵性進展，為高速高帶寬光學(xué)元件的開發(fā)奠定了基礎(chǔ)。涵蓋了銦磷化物激光器、鋰鈮酸銫調(diào)制器、鍺探測器和低損耗聲光隔離器等一系列組件。正如桑迪亞于8月1日的正式聲明中所強調(diào)的那樣，這一創(chuàng)新為“在硅上構(gòu)建激光器創(chuàng)造了復(fù)雜且非凡的成就，可能會在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域擴展美國的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
盡管類似的激光器開發(fā)在其他機構(gòu)，如加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校和英特爾已有記錄，但桑迪亞的貢獻通過在單一光子集成電路上實現(xiàn)不同光學(xué)元件的協(xié)同作用，超越了常規(guī)。美國國家安全光子學(xué)中心的共同領(lǐng)導(dǎo)者帕特里克·朱強調(diào)了這一成就的戰(zhàn)略意義：“這一突破使美國更加自主，減少對外國制造能力的依賴。”
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