新墨西哥州阿爾布開爾基的桑迪亞國家實驗室取得了微光學領域的開創性突破，通過開發一種創新方法，成功地將多種微光學元件無縫集成到硅基底上。這一前沿技術的成果獲得了新的專利，突顯了他們在集成光學技術領域的引領地位。其核心在于將一種新型硅集成微激光器與不同微尺度光學元件相融合，為自動駕駛汽車、數據中心、生物化學傳感和國防技術等領域的應用帶來了重大影響。
圖：研究人員在一塊直徑為3英寸的金電鍍硅晶片上進行了激光器和放大器的集成。
最近授予桑迪亞的專利標志著在多種材料集成于硅基底的領域取得了關鍵性進展，為高速高帶寬光學元件的開發奠定了基礎。涵蓋了銦磷化物激光器、鋰鈮酸銫調制器、鍺探測器和低損耗聲光隔離器等一系列組件。正如桑迪亞于8月1日的正式聲明中所強調的那樣，這一創新為“在硅上構建激光器創造了復雜且非凡的成就，可能會在半導體技術領域擴展美國的領導地位。”
盡管類似的激光器開發在其他機構，如加利福尼亞大學圣巴巴拉分校和英特爾已有記錄，但桑迪亞的貢獻通過在單一光子集成電路上實現不同光學元件的協同作用，超越了常規。美國國家安全光子學中心的共同領導者帕特里克·朱強調了這一成就的戰略意義：“這一突破使美國更加自主，減少對外國制造能力的依賴。”
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