激光技術(shù)水平主要表現(xiàn)在于激光器技術(shù)水平及基于此的應(yīng)用。固體激光器根據(jù)其能量大、峰值功率高、結(jié)構(gòu)緊湊、牢固耐用等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、國防、醫(yī)療、科研等方面。但是傳統(tǒng)的固體激光器通常采用高功率氣體放電燈泵浦，其泵浦效率約為3%到6%。泵浦燈發(fā)射出的大量能量轉(zhuǎn)化為熱能，不僅造成固體激光器需采用笨重的冷卻系統(tǒng)，而且大量熱能會造成工作物質(zhì)不可消除的熱透鏡效應(yīng)，使光束質(zhì)量變差。
加之泵浦燈的壽命約為300小時，操作人員需花很多時間頻繁的換燈，中斷系統(tǒng)工作，使自動化生產(chǎn)線的效率大大降低，但如果采用二極管泵浦的固體激光器，則可以很好的避免這一點。要適應(yīng)新環(huán)境下的應(yīng)用，固體激光器就必須向著全固化、超短脈沖、短波長的方向發(fā)展，目前也取得了一定的成績，上海光機所強光光學(xué)開放研究實驗室成功建立了5.4太瓦(1012w)/46飛秒級小型化超強超短激光裝置，重復(fù)頻率每秒10次，穩(wěn)定可靠，工作臺面占地不到10平米，光束質(zhì)量優(yōu)良，具備提供1018～1019w/cm2量級的超高超快強場能力。日本一技術(shù)開發(fā)機構(gòu)經(jīng)過實驗確認短波長的紫外線可制造線寬為0.07微米的半導(dǎo)體元件，實用化后可將存儲元件的信息存儲容量提高60倍。
現(xiàn)在的半導(dǎo)體元件加工技術(shù)多采用波長為250納米的紫外線激光在線路板上曝光，能夠蝕刻線寬為0.25至0.15微米的半導(dǎo)體元件。由日本政府和企業(yè)聯(lián)合組成的超尖端電子技術(shù)開發(fā)機構(gòu)通過實驗確認，使用波長為13納米的紫外線可加工線寬為0.07微米的精細半導(dǎo)體電路。
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