相對于傳統的 KD*P 電光調制晶體，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系 數，弱的壓電振鈴效應，更寬的光譜透過范圍（210-2000nm）等優點。相對于RTP 電光 調制晶體，BBO 晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度時應系，有利于提高激光輸出 功率穩定性。因此，由BBO 晶體制成的電光Q開關常被應用于高重復頻率（高達800KHz）， 高功率（高達900W）的電光調Q 激光器，腔倒空調Q 激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大系統中。
產品特點
高重復頻率，可達500KHZ
高峰值功率抗損值
低吸收率
高紫外波段透過率
高精度低噪點
規格參數：
最大截面 12 x 12 mm2
最小截面2 x 2mm2
最大長度 25 + 25 mm
常規長度20mm
平面度λ/10 @ 633nm
透過畸變λ/8 @ 633nm
光學平行< 20 arc sec.
側垂< 5 arc sec.
光潔度10-5 膜后20-10
端面鍍膜210-2000nm可訂制
抗光傷閾值600MW/cm2 @10ns，10Hz，1064nm
