磷酸二氫鉀(KDP),磷酸二氘鉀(DKDP)由于其擁有優(yōu)越的紫外透過,高損傷閾值,雙折射系數(shù)高等特性,被廣泛地應(yīng)用在多種工業(yè)用途(其非線性系數(shù)偏低)。這兩種晶體通常被用于做Nd:YAG激光器的二、三、四倍頻器件（室溫條件下）。另外，它們也具有電光系數(shù)高的特點(diǎn)，故也被用于制作Q開關(guān)等。公司能為您提供高質(zhì)量、不同尺寸的KDP和KD*P晶體，因?yàn)槠鋻伖饷嫒菀壮苯猓式ㄗh在密封、干燥環(huán)境下使用；并且可以依照客戶提供的激光系統(tǒng)要求，專門制作對(duì)應(yīng)的晶體及密封支架。
基本特性:
半波電壓低
線性電光系數(shù)大
透過波段寬
光學(xué)均勻性好
優(yōu)良的鐵電、壓電和電光性能
KDP KD*P
分子式 KH2PO4 KD2PO4
透過波段 200-1500nm 200-1600nm
非線性系數(shù) d36=0.44pm/V d36=0.40pm/V
折射率(1064nm) no=1.4938, ne=1.4599 No=1.4948, ne=1.4554
電光系數(shù) r41=8.8pm/V r41=8.8pm/V
r63=10.3pm/V r63=25pm/V
縱向半波電壓: Vp=7.65KV(l=546nm) Vp=2.98KV(l=546nm)
光吸收： 0.07/cm 0.006/cm
光損傷閾值： >5 GW/cm2 >3 GW/cm2
消光比： 30dB
KDP的Sellmier方程
no2=2.259276+0.01008956/(λ2-0.012942625)+13.00522λ2/(λ2-400)
ne2=2.132668+0.008637494/(λ2-0.012281043)+3.2279924λ2/(λ2-400)
KD*P的Sellmier方程
no2=1.9575544+0.2901391λ2/(λ2-0.0281399)-0.02824391λ2+0.004977826λ2
ne2=1.5005779+0.6276034λ2/(λ2-0.0131558)-0.01054063λ2+0.002243821λ2
產(chǎn)品規(guī)格:
最大尺寸：100x100mm2
含氘量：96%
平行度: <20秒
垂直度：<5分
平面度: λ/8 @ 633nm
光潔度:10/5
尺寸公差: (寬±0.1mm)x(高±0.1mm)x(長(zhǎng)+0.1/-0.1mm) (長(zhǎng)度<2.5mm)
（寬±0.1mm)x(高±0.1mm) x(長(zhǎng)+0.5/-0.1mm) (長(zhǎng)度>=2.5mm)
角度偏差: △θ≤±0.25°,△φ≤±0.25°
波前畸變:< λ/8 @ 633nm
通光孔徑: >90% 中央直徑
倒角：≤0.2mmx45°
崩邊：≤0.1mm
操作閾值[GW/cm2]:
>0.5 for 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated)
>0.3 for 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-coated)
品質(zhì)保證期: 一年內(nèi)正常使用。
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KDP |
KD*P |
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分子式 |
KH2PO4 |
KD2PO4 |
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透過波段 |
200-1500nm |
200-1600nm |
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非線性系數(shù) |
d36=0.44pm/V |
d36=0.40pm/V |
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折射率(1064nm) |
no=1.4938, ne=1.4599 |
No=1.4948, ne=1.4554 |
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電光系數(shù)
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r41=8.8pm/V |
r41=8.8pm/V |
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r63=10.3pm/V |
r63=25pm/V |
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縱向半波電壓 |
Vπ=7.65KV(λ=546nm) |
Vπ=2.98KV(λ=546nm) |
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光吸收 |
0.07/cm |
0.006/cm |
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光損傷閾值 |
>5 GW/cm2 |
>3 GW/cm2 |
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消光比 |
30dB |
30dB |
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KDP的Sellmier方程 |
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no2=2.259276+0.01008956/(λ2-0.012942625)+13.00522λ2/(λ2-400) |
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ne2=2.132668+0.008637494/(λ2-0.012281043)+3.2279924λ2/(λ2-400) |
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Sellmeier equations of DKDP:(λ in um) |
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