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光刻機，其實就是一種切割工藝。硅芯片由片刻進行由切割產生單晶硅，然后經過高溫c-f加工可以切割成硅片。硅片按照電子器件類型有cmos集成電路，hmsoc等等，都需要進行光刻處理，以達到實際應用的性能。光刻機要區分光刻工藝有兩大類，激光光刻和化學光刻兩大類。

激光光刻(如intelswrl,intelswrl:cobrushoxidelens)又稱為熱點光刻，是指用激光光熱離子束進行光刻的工藝。主要目的是獲得微縮版的半導體制造物，或是下層實體晶體管的圖案。根據光路，光刻中的激光首先經過幾十或幾百攝氏度的高溫。然后經過cmp全鋁化學氣相沉積技術。還需要用到化學氣相沉積的液體，一般都是有機溶劑，如cl2，h2，o2等。這是一個高溫高壓的過程，能讓多少離子包圍在晶體管的圖案上，就能看到多少離子。

除此之外，用到化學氣相沉積的液體一般都是高熔點的材料，如醇、醚、醛、醛酮等等。除了需要用到激光光熱離子還需要一種特殊的氧化劑來去除雜質雜質，比如全鋁化學氣相沉積技術可能在最終版本的硅的光刻中會看到一種用于氧化的高氧化性雜質，叫作有機添加劑或者硝酸鹽。而化學光刻主要就是直接用硅刀切割，所以產品的性能和光刻機是沒有太大關系的，而光刻機的應用的制造光刻機。