問題在于，即使是如硬幣般大小的小型化RI傳感器也比許多應用大。這也正是密西根大學團隊希望通過使用由光源激發的納米線的激光發射來改變的難題。該團隊在題為“基于半導體納米線激光器的折射率感測”的論文中，詳細描述了團隊進行的研究。
在該研究中，將直徑為204nm、長度為15μm的硫化鎘（CdS）線作為光學腔的核心設計（圖1）。納米線的高折射率使入射光在端面具有高反射率因子，并通過納米線進行引導。這種設置形成了法布里-伯羅空腔，當它被外部光源激發時，也會形成激光作用。這樣形成的激光波長取決于其周圍的折射率。通過測量激光輸出的波長，可以確定浸入納米線的液體的折射率。
制造過程使用了類似半導體的工藝，其中硫化鎘（CdS）納米線（折射率n = 2.67）生長在使用了化學氣相傳輸法的硅晶片襯底上。之后將納米線直接沉積在硅玻璃罩上，然后將其暴露于低壓等離子體中。這種等離子體處理是用來確保將納米線固定在玻璃表面，從而用于液體環境中的實驗。
在試驗中，將納米線浸入乙醇和甲苯的體積比為10：0、9：1、8：2和7：3的混合溶液中，相當于折射率分別為1.365、1.39、1.339和1.407。通過脈沖光學參量振蕩器（5納秒脈沖寬度，20赫茲重復頻率，479納米波長）對該納米線進行激發。然后使用焦點尺寸為60μm的50×物鏡對泵浦光束進行聚焦。圖2顯示了每個折射率的所得激光光譜，全部使用了4μJ/ mm 2的相同激發能量密度。
測試結果也表明波長效應同樣非常敏感。例如，當折射率從1.365增加到1.407時，出現了從504.35nm到505.23nm的明顯可測量的紅移現象。
基于激光峰值的0.22nm線寬和其他因素對數據的進一步分析顯示，該設計的總體品質因數（FOM）為96。
該半導體納米線傳感器不僅是最近公布的使用諧振散射方法實現結果的24倍提升，而且其制造復雜度較低。它可以內化到活細胞中，并感測各部分的折射率。
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