3 電源完整性PI
PI的提出，源于當不考慮電源的影響下基于布線和器件模型而進行SI分析時所帶來的巨大誤差，相關概念如下。
◆ 電子噪聲，指電子線路中某些元器件產生的隨機起伏的電信號。
◆ 地彈噪聲。當PCB板上的眾多數字信號同步進行切換時（如CPU的數據總線、地址總線等），由于電源線和地線上存在阻抗，會產生同步切換噪聲，在地線上還會出現地平面反彈噪聲（簡稱地彈）。SSN和地彈的強度也取決于集成電路的I/O特性、PCB板電源層和地平面層的阻抗以及高速器件在PCB板上的布局和布線方式。負載電容的增大、負載電阻的減小、地電感的增大、同時開關器件數目的增加均會導致地彈的增大。
◆ 回流噪聲。只有構成回路才有電流的流動，整個電路才能工作。這樣，每條信號線上的電流勢必要找一個路徑，以從末端回到源端。一般會選擇與之相近的平面。由于地電平面（包括電源和地）分割，例如地層被分割為數字地、模擬地、屏蔽地等，當數字信號走到模擬地線區域時，就會產生地平面回流噪聲。
◆ 斷點，是信號線上阻抗突然改變的點。如用過孔（via）將信號輸送到板子的另一側，板間的垂直金屬部分是不可控阻抗，這樣的部分越多，線上不可控阻抗的總量就越大。這會增大反射。還有，從水平方向變為垂直方向的90°的拐點是一個斷點，會產生反射。如果這樣的過孔不能避免，那么盡量減少它的出現。
在一定程度上，我們只能減弱因電源不完整帶來的系列不良結果，一般會從降低信號線的串繞、加去耦電容、盡量提供完整的接地層等措施著手。
4 EMC
EMC包括電磁干擾和電磁抗干擾兩個部分。
一般數字電路EMS能力較強，但是EMI較大。電磁兼容技術的控制干擾，在策略上采用了主動預防、整體規劃和“對抗”與“疏導”相結合的方針。
主要的EMC設計規則有：
① 20H規則。PowerPlane（電源平面）板邊緣小于其與GroundPlane（地平面）間距的20倍。
② 接地面處理。接地平面具有電磁學上映象平面（ImagePlane） 的作用。若信號線平行相鄰于接地面，可產生映像電流抵消信號電流所造成的輻射場。PCB上的信號線會與相鄰的接地平面形成微波工程中常見的Micro-strip Line（微帶線）或Strip Line（帶狀線）結構，電磁場會集中在PCB的介質層中，減低電磁輻射。
因為，Strip Line的EMI性能要比Micro-strip Line的性能好。所以，一些輻射較大的走線，如時鐘線等，最好走成Strip Line結構。
③ 混合信號PCB的分區設計。第一個原則是盡可能減小電流環路的面積；第二個原則是系統只采用一個參考面。相反，如果系統存在兩個參考面，就可能形成一個偶極天線；而如果信號不能通過盡可能小的環路返回，就可能形成一個大的環狀天線。對于實在必須跨區的情況，需要通過，在兩區之間加連接高頻電容等技術。
④ 通過PCB分層堆疊設計控制EMI輻射。PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設計技巧，通過合適的疊層也可以降低EMI。
從信號走線來看，好的分層策略應該是把所有的信號走線放在一層或若干層，這些層緊挨著電源層或接地層。對于電源，好的分層策略應該是電源層與接地層相鄰，且電源層與接地層的距離盡可能小，這就是我們所講的“分層＂策略。
⑤ 降低EMI的機箱設計。實際的機箱屏蔽體由于制造、裝配、維修、散熱及觀察要求，其上一般都開有形狀各異、尺寸不同的孔縫，必須采取措施來抑制孔縫的電磁泄漏。一般來說，孔縫泄漏量的大小主要取決于孔的面積、孔截面上的最大線性尺寸、頻率及孔的深度。
⑥ 其它技術。在IC的電源引腳附近合理地安置適當容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而，問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應的特性，這使得電容無法在全頻帶上生成干凈地驅動IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態電壓在去耦路徑的電感兩端會形成電壓降，這些瞬態電壓就是主要的共模EMI干擾源。為了控制共模EMI，電源層要有助於去耦和具有足夠低的電感，這個電源層必須是一個設計相當好的電源層的配對。問題的答案取決于電源的分層、層間的材料以及工作頻率（即IC上升時間的函數）。通常，電源分層的間距是0.5mm（6mil），夾層是FR4材料，則每平方英寸電源層的等效電容約為75pF。顯然，層間距越小電容越大。
5 熱設計
電子元件密度比以前高了很多，同時功率密度也相應有了增加。由于電子元器件的性能會隨溫度發生變化，溫度越高其電氣性能會越低。
（1）數字電路散熱原理
半導體器件產生的熱量來源于芯片的功耗，熱量的累積必定導致半導體結點溫度的升高。隨著結點溫度的提高，半導體器件性能將會下降，因此芯片廠家都規定了半導體器件的結點溫度。在高速電路中，芯片的功耗較大，在正常條件下的散熱不能保證芯片的結點溫度不超過允許工作溫度，因此需要考慮芯片的散熱問題。
在通常條件下，熱量的傳遞通過傳導、對流、輻射3種方式進行。
散熱時需要考慮3種傳熱方式。例如使用導熱率好的材料，如銅、鋁及其合金做導熱材料，通過增加風扇來加強對流，通過材料處理來增強輻射能力等。
簡單熱量傳遞模型：熱量分析中引入一個熱阻參數，類似于電路中的電阻。如果電路中的電阻計算公式為R=ΔE/I，則對應的熱阻對應公式為R=Δt/P（P表示功耗，單位W；Δt表示溫差，單位℃）。熱阻的單位為℃/W，表示功率增加1W時所引起的溫升。考慮集成芯片的熱量傳遞，可以使用圖5描述的溫度計算模型。
由上所述，可推導出
Tc＝Tj－P× RJC
也就是說，當Tc實測值小于根據數據手冊所提供數據計算出的最大值時，芯片可正常工作。
（2）散熱處理
為了保證芯片能夠正常工作，必須使Tj不超過芯片廠家提供的允許溫度。根據Tj=Ta+P×R可知，如果環境溫度降低，或者功耗減少、熱阻降低等都能夠使Tj降低。實際使用中，對環境溫度的要求可能比較苛刻，功耗降低只能依靠芯片廠家技術，所以為了保證芯片的正常工作，設計人員只能在降低熱阻方面考慮。
結 語
以上提到的高速單片機設計思想和方法，目前已經在國外的公司得到實踐和發展，但是國內這方面的研究和實踐還很少。該設計思想在我們公司實踐、摸索，提高了產品可靠性。在這里推薦給各位同行，期望共同探討。
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